二手 AMAT / APPLIED MATERIALS P5000 Mark II #9193242 待售

ID: 9193242
晶圆大小: 6"
优质的: 1993
CVD Systems, 6" Chamber A: TEOS: C2F6 2000 N2, O2.S 1000, NF3 1000 N2, TEOS 1500, Meter 4000, 100 Torr Chamber B: Sion / Nitride: SiH4 300, N2 5000, PH3 1000, NH3 100, CF4 5000 N2, N2O 3000 N2, N2 std 200 Purge: 8000 N2, 10 Torr, DPA Chamber C: Sion / Nitride: SiH4 300, N2 5000, PH3 1000 N2, NH3 100, CF4 5000 N2, N2O 3000 N2, N2 std 200 Purge: 8000 N2, 10 Torr, DPA Includes: Pumps Chiller RF Generator Hot box Remote gas panel Mini controller Currently installed 1993 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS P5000 Mark II是一种用于生产集成电路(IC)装置的高密度等离子体反应器。反应堆由几个隔室组成,包括等离子体源、工艺室、气体分配设备和真空系统。等离子体源利用微波能量,通常是2.45 GHz,在过程室中产生高能等离子体。此等离子体用作IC元件的生产介质。封闭在真空中的工艺室通常在10至12 mTorr的压力下运行。加工室内部是放置IC样品的基板支架。就在基板支架上方的是气体输送装置,它是AMAT P5000 Mark III的核心。它包含一系列黄铜喷嘴,这些喷嘴连接到气体入口管线,用于控制IC生产过程所需的各种气体的输送。气体分配机的设计使气体在基板平面上流动均匀。真空工具用于维持所需的工艺室压力。真空资产包括涡轮分子泵,以及前线和扩散泵。涡轮分子泵确保过程保持一致的压力,而其他泵则提供离子轰击过程产生的气体的疏散。APPLIED MATERIALS P 5000 MARK II有一系列的控制参数,以允许精确的过程控制。用户可以调整的参数包括总加工压力、工艺气流和组成、基板温度、离子轰击的功率水平以及其他参数。这些参数加在一起,可以精确控制工艺环境,以重现具体的结果,并针对工艺变化进行调整。总体而言,AMAT/APPLIED MATERIALS P 5000 MARK II是一种高度先进、用途广泛的反应堆,用于生产IC装置。它利用多个隔间和系统结合不同的控制参数进行精确的过程控制。这样就可以统一生产高质量的IC设备。
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