二手 RIBER EVA 32 #9197264 待售

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製造商
RIBER
模型
EVA 32
ID: 9197264
晶圆大小: 2"
MBE System, 2" Group IV MBE Grow germanium and silicon Semiconductor thin films (SiGe) B & Sb as P- & n- type dopant RHEED System with power supply and control​ Residual gas analyzer & control (RGA / Mass spectrometer)​ ​XYZ Precision sample stage / Manipulator​ Sentinel flux motoring system with power supply and control​​ Load-lock chamber (2) 40 CC E-guns (Ge & Si) (3) Effusion cells with controls Sb Boric acid Ge Residual gas analyzer (Quadruple mass spec) RHEED Electronics control Manipulator wafers, 2" Load lock chamber Ion pump plus cryopump.
RIBER EVA 32是一种先进的分子束外延(MBE)系统,用于将包括III-V、II-VI在内的优质无机材料和氧化物外延生长到底物上。它能够对材料的生长结构进行原子和表面控制。EVA 32配备了多个、独立、最先进的腔室,旨在为各种异质结构和纳米结构的外延生长提供最大自由度。该系统是由几个超高真空模块组成的阵列,每个模块都装有高精度、低温电阻加热器。个别模块包括主源腔、两个积液池、两个紫外线光源和独立的温度控制器。在这些模块中的每一个中,可以控制不同的生长参数,以允许纳米结构的精确生长。主源室是包含生长表面和源材料的主室。基板支架与源室热耦合,由高精度、低温电阻加热器加热。主源腔设有传感器,用于测量温度、压力、成分、生长速率等各种参数。两个积液池安装在主源室,用于物料蒸发。细胞垂直于生长表面定位,能够覆盖整个表面。在MBE生长的情况下,积液细胞含有用作外延过程的原料。两个紫外线光源安装在主光源腔内,垂直于生长表面,倾斜角度可调。这些光源可以提供广泛的能量强度,以操纵生长条件。温度控制器用于调节主源室内部基板和材料的生长温度。这些控制器是电阻加热器,可设置在300至800摄氏度的温度下。加热器经过微调,以实现精确的温度控制,并提供所需的生长条件。RIBER EVA 32是一个专用的MBE系统,可以帮助执行异质结构和纳米结构的高度控制制造。其多模块和参数的精确控制为优质材料的生产提供了极致的灵活性。
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