二手 AIXTRON 2400 G1 #9191892 待售
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已售出
ID: 9191892
优质的: 1991
MOCVD Reactor
AlGaAs System
Main chamber
LEYBOLD D65 Pump
15" x 2" and 8" x 3"
Configuration:
(2) Ga lines
(2) In
(2) Al
(1) Mg
(1) Zn
(1) Spare
(2) As
(1) Ph
(1) Si2H6
(1) HCl
Temperature range: Up to 850°C
Used for AlInGaP LEDs
Gases used: Arsine, Phosphine, DiSi2H6, HCL
Windows based operating system: Upgraded from OS9
Usage: ~4,000 Hours
Installed with N2 and H2 disconnected
Purged with N2 before shut down
(3) / (4) Lauda baths
1991 vintage.
来自AIXTRON SE的AIXTRON 2400 G1反应堆是为可伸缩生产而设计的半导体沉积设备。它是一种先进的低压CVD系统,提供卓越的过程控制和灵活性。该反应堆提供了广泛的能力，包括氧化物、氮化物和多晶硅沉积，以及热氧化物和其他硅基工艺。其自动化程度和配置能力使其成为薄膜沉积的理想选择。2400 G1旨在提供统一和可重复的工艺质量。它是一个全自动单元，连接到各种气源，以实现完整的过程灵活性。该机还配备了温度剖析、气流测量、沉积剖析等先进诊断，以实现最大程度的工艺控制。反应堆采用模块化设计，由六个水平反应室组成，每个室内有三个反应堆。反应室的中心壁由不锈钢制成，而外墙则由陶瓷制成。所有反应堆都连接到运输轨道，使它们能够在连续的腔室之间移动。此功能可确保整个工具的沉积速率一致。AIXTRON 2400 G1的最高温度范围为90°C至1000 °C，工艺压力为5 mBarg。它配有放置在多种位置的气体喷射器，以利于最佳气体分配。此外，反应堆允许掺入多种气体，包括专门为此设计的燃气箱和排气管。2400 G1具有广泛的功能,是一种可靠且高效的资产,可提供高水平的控制和可重复性。该模型适用于广泛的薄膜沉积工艺，旨在满足最新的半导体生产要求。
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