二手 AIXTRON 2800 G4 HT #9194705 待售
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已售出
ID: 9194705
优质的: 2010
MOCVD Systems
Configuration:
GMS
Constant temperature MO sources (2 RM25 & 5 RM6)
Run / Vent pressure difference balance
In-MO source density monitor
(3) NH3 Configuration
H2 & N2 Testing equipment
Monitoring system:
EpicurveTT: Wafer curvature monitoring
Photrix: Wafer surface temperature monitoring
Optrics: Ceiling temperature monitoring
Rotation and satellite rotation:
Main rotation: Motor controller
Satellite rotation: Gas drive and single controller
Reaction chamber information:
11 x 4’’ Structure
Fixed heating coil
Water cooling triple injector
Injector purge
Controller:
PLC: Controller logix from AB
SCS from AIXTRON
2010 vintage.
AIXTRON 2800 G4 HT是一种强大而高效的化学气相沉积（CVD）反应器，装备了该领域的最新进展。该反应堆具有可靠的性能和生产率，可广泛应用于各种材料和应用。适用于石墨烯、纳米线、纳米管、半导体和复合薄膜等多种材料的加工。该反应堆采用独特的纳米加工技术提供最大精度和控制。它具有多层盖子系统、分段冷墙、PC控制的燃气箱和热边源端插头。这种特性的结合允许快速、可重复和均匀的材料层，使其成为研发创新技术的理想之选。AIXTRON 2800G4 HT设计的高温范围高达1200 °C，与市场上的其他CVD反应堆相比，可实现更快的工艺周期时间和更高的吞吐量。这是通过一种专有的设计实现的，这种设计包括用于沉积室的进气和排气通道、一个加热的端塞和一个装有条件的燃气箱。气箱通过提供受控的惰性气氛，实现了精确的温度控制和快速反应速率。此外，同一个腔室用于不同的基板，并允许快速和容易交换基板。盖子系统便于在尽可能高的温度下沉积，确保极好的可重复性和均匀性。盖子本身被分割成两个或两个以上的部分，每一层分别加热以进行精确的温度控制。热边源端塞使材料的有效分布和在基板表面上的沉积更加均匀。所有这些特性使2800 G4 HT成为市场上最先进的CVD反应堆。它为研发团队提供了一个最佳平台，方便生产质量和精度空前的薄膜、纳米结构等材料。
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