二手 AIXTRON 2400 G2 #9191574 待售

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製造商
AIXTRON
模型
2400 G2
ID: 9191574
Reactor InGaAsP Wafer capacity: Heat package not included Wafer configuration: 15x2", 11 x 2", 8x3", 5x4" Gas supply: N2 6.0, H2 Pd-Diffused, AsH3 100% PH3 100%, SiH4 100% Pinlet each 3-3, 5 bars Carrier gas consumption < 20 l/min Forming gas: 5%-10% H2 in N2 Pneumatic: N2 Techn, 7-9 bars Cabinet ventilation: 2 x 1000 m3/h Water cooling: Total flow 4 l/min at Tinlet, < 25°C Pinlet, < 6 bars Differential pressure > 4 bars Power supply: 3Ph, 60Hz, 480VAC, ±5%-60 kVA (Heater) 3N/Ph, 60 Hz, 208VAC, ±5%-20 kVA (Electronics) (or) 3N/Ph, 50Hz, 400AC, ±5%-80 kVA.
AIXTRON AIX 2400 G2是一种高性能反应堆,设计用于生产大批量、高质量的沉积物。它基于公司专利的CVD-MOCVD生产技术,可以处理氧化物、氮化物、复合半导体材料的全系列沉积工艺。反应堆由一个旋转敏感器、两个热区加热系统和精密的过程控制能力组成。旋转磁感器是一种大直径、自由浮动的圆盘,安装在梯形框架上,每分钟最多可旋转400转。这种设计提供了统一和一致的薄膜沉积,并提高了生产率,因为它允许多个过程运行。这两个热区由一个石墨敏感器和一个电阻加热器组成,该石墨敏感器包裹有一个用于沉积区的电阻加热元件和一个提供高温退火过程的电阻加热器。两个热区都是可调的,可以调整到特定的沉积参数。精密的过程控制功能能够对过程进行准确可靠的微调,从而确保高质量的薄膜具有出色的均匀性和可重复性。此外,反应堆还配备了精确的气体控制系统,利用一整套工艺气源、阀门和流量计对反应物流动进行闭环控制。这种特性导致各种材料的高通量加工。AIX 2400 G2是那些需要从沉积和退火过程中获得最高生产力和高质量薄膜的人的理想工具。其紧凑的设计允许轻松集成到生产环境中,并结合了高热稳定性、准确的气体控制和可靠的工艺控制等优点。因此,它在生产各种应用的薄膜方面提供了优越的性能,例如光电和微电子器件、显示器和其他半导体器件。
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