二手 VARIAN / VEECO GEN II #9190525 待售

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ID: 9190525
MBE Growth system Combination of IV: Si / Ge / Sn Ports, 2.75" Chamber 1 (III-V): Arsenic valved cracker Indium effusion cell Gallium effusion cell Aluminum effusion cell Ga downward looking source Silicon effusion cell (5 cc) Beryllium effusion cell (5 cc) Chamber 2 (Group IV): Germanium effusion cell Silicon e-beam source Silicon high temperature source Tin effusion cell Arsenic valved cracker Boron dopant source.
分子束外延(MBE)是一种用于创建可靠、高质量的薄膜结构的技术。VARIAN/VEECO GEN II MBE设备是制造复合半导体器件和结构的最先进的工具,如用于光电和微电子应用的多结太阳能电池、量子级联激光器和半导体元件。该系统依靠真空室将底物与气体分子隔离在一起。基板被放置在一个电子加热的电阻元件上,称为"电池",通常由石英或氮化铝制成。然后,源材料被装入粒子束源,在那里它们被特别加热到高于该材料熔点的温度。举个例子来说,一个氙源需要比铝源更高的温度。为了精确移动粒子,VEECO GEN II MBE单元使用了功能强大的闭环光微控制器光束扫描机。该工具监视来自源材料的粒子束的数量、强度和扩散,然后精确调整束扫描模式,以确保均匀沉积到基板上。采用高精度喷气喷嘴进一步增强了沉积过程,使资产能够沉积多层不同材料而不重迭。VARIAN GEN II MBE模型还具有高级编程界面,允许用户设计自己的沉积过程,调整流量,远程控制设备。最后,系统包括一个先进的温度控制单元,具有保持温度在10°C至1000°C之间的高精度和稳定性的能力,让用户能够精确控制薄膜特性,实现结构的均匀。这使得GEN II MBE机成为制造先进薄膜结构的理想设备。
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