二手 VARIAN / VEECO GEN II #9232274 待售

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ID: 9232274
MBE Growth system Combination of IV: Si / Ge / Sn Ports, 2.75" Chamber 1 (III-V): Arsenic valved cracker Indium effusion cell Gallium effusion cell Aluminum effusion cell Ga downward looking source Silicon effusion cell (5 cc) Beryllium effusion cell (5 cc) Chamber 2 (Group IV): Germanium effusion cell Silicon e-beam source Silicon high temperature source Tin effusion cell Arsenic valved cracker Boron dopant source.
VEECO Generation II Molecular Beam Epitaxy(MBE)设备是一种高度先进和可靠的增长系统,用于研究、开发和生产应用,遍及一系列行业。它能够在包括但不限于高温超导体、半导体材料、薄膜和各种固态材料在内的多种基板上沉积外延膜。该单元由控制台、真空室、超高纯度气体输送机、晶体支架和微处理器控制下运行的监控系统组成。该工具能够在从室温到1000°C的大范围温度下沉积薄膜。沉积速率可控制在每小时0.01 µm至500 µm之间。此资产最方便用户的功能包括自动RHEED模式对齐、样本对齐和自动配方处理。该室设计用于10-11 Torr的操作,具有八源、四袋脉冲电子束蒸发器、三个积液池和一个电阻加热的Knudsen池,用于沉积厚度达几微米的薄膜。双腔室配置允许对沉积腔内的温度进行最大的灵活性和控制,并允许高生产吞吐量VARIAN Generation II MBE模型能够生长质量最高的薄膜材料。其强大的设计和质量控制系统使其可靠准确,而其优质的气源和输送系统则确保了高产材料的性能。其同时生长厚膜和薄膜的能力提供了极大的灵活性,允许广泛的应用和产生优越的产量。
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