二手 AIXTRON Crius II-XL GaN 19x4" #9358604 待售

AIXTRON Crius II-XL GaN 19x4是一种革命性的反应堆技术，专门设计用于促进GaN-on-silicon结构的高效生长。这座反应堆展示了当前一代AIXTRON Crius系统的最新进展。它安装在一个19 x 4英寸的面板中,带有15kW灯。它提供了一个高压数据系统，并使用氙气微波感应耦合等离子体，它能够产生高达4200W的功率。这款大功率的Crius II-XL还允许晶圆的有效间隙几何形状为1-5mm,最大尺寸为200 mmx200mm。反应堆装有一个由铂制（Pt）制成的高科技电控感光器，以确保在整个感光器表面均匀均匀的温度分布。该敏感器设计用于一次最多支持六个生长晶片，并安装在高度精确的AIXTRON Crius温度控制模块上。这样可确保将感光器的温度精确调节在50至600°C之间,最小温度偏差可达± 1°C。反应堆还包括标准工作频率为13.56MHz的最先进的射频发生器和脉冲运行模式，脉冲速率为0.2至1Hz，脉冲宽度为5至60%。这台射频发电机的13.56 MHz频率是由200V源推导而来，产生超过100W的整体功率输出。这确保了最大质量沉积的最佳操作条件。AIXTRON CRIUS II-XL GaN 19x4是一种高效、可靠的反应堆,可确保最大的运行效率,同时利用大量可用的工艺参数选项。这种反应器具有多种功能，对于需要高性能工艺的应用，如GaN-on-silicon晶片的生长，是一个很好的解决方桉。因此,这项技术在成本、效率和可靠性方面具有相当大的优势。