二手 AIXTRON Crius II #9160107 待售

AIXTRON Crius II是一种工业级沉积设备，旨在满足要求苛刻的沉积过程的需求，如MBE生长或涉及复合半导体开发复杂物料堆栈的先进CVD过程。该反应堆在III-N材料上的外延层生长方面表现出色，如GaN和GaAs，而高达1000 °C的温度范围增加使得该系统非常适合AlGaN、GaN和SiC的生长。Crius II的双室单元为前所未有的流程提供了灵活性和控制权。该机设有两个单独配置的沉积室：用于基板处理、装载、冷却、排气和泵送的下室；以及用于物料加工的上室,具有多种不同的源选项,并改进了高达1000 °C的高温范围。基板可以通过一个最多可容纳三个基板的平台直接从下室转移到上室，并使用直观的触摸屏操作。AIXTRON Crius II利用AIXTRON专有的C-Mode技术提供优越的性能,在不同的基板上提供均匀的层增长,甚至是高长宽比基板。C-Mode提供精确且恒定的工艺条件，自动校准，并保持外延晶体之间的稳定重叠比。这样可以确保整个样品的层均匀性,并且由于迭加层的变化而减少了拒绝。上腔的压力控制也得到了改进，使整个沉积过程的控制和均匀性得到改善。原料来源可以从工具的工具室装载到Civia带状供给的船上，有多艘船可以覆盖全部原料。三种可用的源类型是快门−ave、processRF和carrierRF。对shuttered−ave源进行了设计，以保持基板和源面之间的精确间隙，以确保均匀的层增长。ProcessRF和CarrierRF源在过程中最大化源-基板距离以达到最高颗粒抑制水平。Crius II旨在确保轻松维护和操作,并提供高效的工作流,帮助确保生产过程中的一致性和成本效益。AIXTRON Crius II具有广泛的特性和可靠的性能，是先进复合半导体材料工业沉积工艺的理想解决方桉。通过AIXTRON先进的C-Mode技术及其增强的温度范围相结合，Crius II有助于建立满足现代制造需求所需的高质量标准。