二手 CANON / ANELVA ILC 1060 #9175336 待售
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ID: 9175336
PVD Sputtering system, 5"
Process: SiO2
Chambers:
(3) SP
Etch
Heat
L1-Chamber configuration:
Process: Etch
Exhaust pump: TG-550
Power unit model: VMA-1
1kW (RF)
Shield: φ5 Standard
Holder type: Upthrust pin
Process gas / Ar: 100sccm
Baratron: 690A01TRC
Gate valve
No MV lock method
No shutter method
No shield temperature control
No Q-UHV
No analyzer tube
L2-Chamber configuration:
Process: Wsi
Exhaust pump: Torr8
Power unit model: PDC-157E
15kW (DC)
Cathode Mg: Wsi8/6-1
Shield: Top / Bottom exhaust
SP Chuck type: 99% Ring chuck
Holder type: Top / Bottom clutch
Heating temperature: 400°C
Heating type: Ceramic heater
Heating method: Gas heating
Process gas / Ar: 100sccm
Baratron: 690A01TRC
Gate valve
No MV lock method
No shutter method
No shield temperature control
No Q-UHV
No analyzer tube
C-Chamber configuration:
Process: Ti
Exhaust pump: Torr8
Power unit model: PDC-157E
15kW (DC)
Cathode Mg: Ti8-1
Shield: Top / Bottom exhaust
SP Chuck type: 99% Ring chuck
Holder type: Top / Bottom clutch
Heating temperature: 400°C
Heating type: Ceramic heater
Heating method: Gas heating
Process gas / Ar: 100 sccm
Baratron: 690A01TRC
Gate valve
No MV Lock method
No shutter method
No shield temperature control
No Q-UHV
No analyzer tube
R2-Chamber configuration:
Process: TiN
Exhaust pump: Torr8
Power unit model: PDC-157E
15kW (DC)
Cathode Mg: TiN8-1
Shield: Top / Bottom exhaust
SP Chuck type: 99% Ring chuck
Holder type: Upthrust pin
Heating temperature: 400°C
Heating type: Ceramic heater
Heating method: Gas heating
Process gas / Ar: 100 sccm
Process gas / N2: 100 sccm
Baratron: 690A01TRC
Gate valve
No MV Lock method
No shutter method
No shield temperature control
No Q-UHV
No analyzer tube
R1-Chamber configuration:
Holder type: Top / Bottom clutch
Heating temperature: 400°C
Heating type: Lamp heater
Heating method: Radiation heating
Cables missing
1994 vintage.
CANON/ANELVA ILC 1060是一种利用高度控制和高效溅射技术的溅射设备。该系统允许薄膜沉积在多种基板上，并已广泛应用于半导体、光学和生物医学行业。佳能ILC 1060由一个主室、两个转移室、一个预溅射室和一个热溅射室组成。主室是大多数溅射发生的地方，配有二极管磁控管和溅射阴极目标。二极管磁控管允许溅射气体被电离，目标可以旋转或振荡以实现均匀沉积。真空保持在腔室内，并由一个集成的涡轮分子泵送单元控制。转移室包含两个等离子体源KF和KHM，以及一个载荷锁，以提供主室基板的受控转移。同时，在样品进入主室之前，使用预溅射室破碎表面污染物。最后，利用射频等离子体源利用热溅射室蒸发材料。ANELVA ILC-1060由数字信号处理单元或DSP单元提供动力,该单元可生成等离子体并产生溅射处理所需的一系列支持系统。DSP单元负责控制溅射压力、腔室温度和气体成分。此外,DSP单元还提供了一系列安全功能,如过热保护、过流保护和磁场保护。为了操作ILC 1060，必须设置多种参数。用户需要指定基板温度、溅射功率、溅射压力、溅射时间、频率和目标。此外,计算机还具有使用预设参数自动编程的功能。CANON/ANELVA ILC-1060具有众多功能,是一种强大而高效的溅射工具。它能够在多种基板上沉积薄膜，同时也为用户提供灵活性和控制性。因此，对于那些希望利用溅射处理的特定应用程序的人来说，这是一个理想的选择。
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