二手 MAGNETRON Sputtering #194492 待售
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已售出
ID: 194492
晶圆大小: 4"-6"
优质的: 2010
Sputtering system, 4"-6"
In‐line 3‐target system
Process variables can be monitored via ZR-RX40
(2) PSICM DC Sputter power supplies
ATOVAC GVC2200 Vacuum gauge controller and gauges
MKS 600 Series pressure controller
NOVA series ST580 Digital temperature
KODIVAC 340 Rotary pump
Main system:
(2) Chambers:
Sample chamber
Main chamber
Chamber size:
Main chamber: 3.5"x ~7"
Sample chamber: 2.5" x 3.5"
Control rack: 2" x 3"
Roughing pump: 2" x 2"
Sputter chamber: ~7" wide and 1.5" height
Carrier slider: 1" Length Al plate
Gate valve chamber: 1.5" Length
Sputter gun section: (3) Guns
Lamp heater
Sputter target size: 300 mm x 100 mm
Installed target: Mo, Cu-Ga, In
Isolation gate valve: 1 for sample, 1 for vacuum
Transport: Automatic motor driven
Vacuum system:
KODIVAC 1600K Rotary pump
GENESIS ICP 250L Cryo pump
Automatic vacuum / Process control with LED display
Vacuum sensor / Control: ATOVAC GVC22005
Sputter system:
Sputter power supply: (2) 2 kW PSTEK DC Power supplies
(4) Gas flow controls:
SEAHWA KRO-4000
KOFLOC 3665
SEC 7440
Substrate motion control:
LED Panel display with speed controller
Manuals included
2010 vintage.
MAGNETRON Sputtering是一种先进的尖端技术,用于沉积由多种材料组成的薄膜。它的工作原理是利用电场将等离子体的高能正离子生成目标材料。离子加速到高速，撞击目标材料，导致目标材料的原子从表面释放出来。这些原子随后被转移到放置在真空室另一侧的基板上。这种转移工艺允许薄膜以均匀的厚度沉积，具有极好的光滑度和良好的附着力。溅射的优点是电场指向特定方向，可以防止来自目标的离子以外的离子被溅射到基板上。这样做的效果是产生的薄膜干净，不受污染。它还可以产生比其他沉积技术能达到的密度高得多的薄膜。这项技术的另一个优点是效率很高，能够沉积能耗非常低的薄膜。这是由于所使用的电场，因为它可以以一种使用最少能量的方式来制造所需的等离子体。最后，磁控溅射是一个物理过程，与化学气相沉积相比，它造成的污染物更少。溅射的过程分为三个主要阶段。首先，必须在溅射室中建立真空环境，并将溅射目标放置在室内。其次，对溅射目标施加负电势，并使用高功率射频（RF）发生器在腔内感应出高温等离子体。最后，射频发生器用于控制从目标材料释放的原子沉积到基板上的速率。所需沉积量可以通过改变偏置电压和射频功率来调节。产生的离子能量也可以通过改变溅射枪的电压来改变，这是控制目标材料原子沉积位置时的一个重要特征。总之，MAGNETRON Sputtering是一种功能强大、用途广泛的技术，可用于以极高的精度沉积一系列不同材料的薄膜。这是一个非常有效和经济的过程，废物最少，能够产生良好的附着力和光滑的薄膜表面。
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