二手 MRC / TEL / TOKYO ELECTRON Eclipse Mark IV #9199385 待售
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ID: 9199385
晶圆大小: 6"
Sputtering system, 6"
Not included: Pumps
SPUT Process chambers:
SPUT1:
Cathode: RM-12
Magnet pack type: RMX
C/S Spacing: 2.0"
Adapter type: Profiled
Target material: TiW
Shield material: Plasma spray
(2) Pie pan shields
Gas ring
Reactive gas: No
Regas injection: Rear
Argon MFC size: 200 sccm
Backplane type: MXB
Quick cool type: Air
DC Power supply: 10 kW
Target change kit: No
RF Bias network: No
Fast regen cryo
SPUT2:
Cathode: RM-12
Magnet pack type: RMX
C/S Spacing: 2.0"
Adapter type: Profiled
Target material: Ru
Shield material: Plasma spray
(2) Pie pan shields
Gas ring
Reactive gas: No
Regas injection: Rear
Argon MFC size: 200 sccm
Backplane type: MXB
Quick cool type: Air
DC Power supply: 10 kW
Target change kit: No
RF Bias network: No
Fast regen cryo
SPUT3:
Cathode: RM-12
Magnet pack type: SPA
C/S Spacing: 2.5"
Target material: Au or Au/5%Ni
Shield material: SS
(2) Pie pan shields: No
Gas ring: No
Reactive gas: Kr
Regas injection: Rear
Argon MFC Size: 200 sccm
Backplane type: MXB HTB
Quick cool type: Air
DC Power supply: 10 kW
Target change kit: No
RF Bias network: No
Fast regen cryo
SPUT4: No
Etch:
Hard/Soft etch type: Soft etch ICP
Adapter type: New style
Quick change kit: No
Shield material: SS
(2) Pie pan shields
SE Adapter shield: No
Gas ring: No
Reactive gas: No
Regas injection: Door
Backplane type: Round
Quick cool type: Water
Variable ICP network: No
RF Bias network: Finger
Fast regen cryo
Bell jar cycle count
Loadlock/Plenum:
Loadlock atmosphere sensor: Old style
Plenum gate valve: Vat
L/L Cryo fast regen
Plenum cryo fast regen
RGA Type: No
Index cycle counter: No
Wafer handling:
Wafer:
Type: Si / SEMI
Tab type: Clamp
Clamp ring material: SS
C/R Edge exclusion: 1.5mm
Latch type: SS Bearing
MFC Vendor: MKS
Equipe/PRI Robot: CE
Equipe/PRI Controller: 100 Series
Index stepper cont. loc: Vacuum tank
Index drive type: Solarus
Aligner type: Equipe/PRI
L/A Latches enabled
SMIF Interface: No
Laminar blower
Facilities/Utilities:
Pump: QDP80
AC Voltage: 208 V
AC Frequency: 60 Hz
PDU Set for 50 Hz: No
208 Buss bar in PDU
GFI in PDU
Cryo compressor type: 9600
Compressor power / Pump power from PDU
Water lines
Currently de-installed.
MRC/TEL/TOKYO ELECTRON Eclipse Mark IV是一种溅射沉积设备，设计用于按照严格的标准处理各种半导体结构和器件。MRC Eclipse Mark IV通过改进多轴运动和沉积室技术，为半导体制造提供了更高的产品质量和更高的吞吐量。TEL Eclipse Mark IV利用两种不同类型的溅射沉积。第一种是直接电流溅射（DCSP），用于溅射蚀刻。它使用直流电源产生离子，这些离子轰击基板表面，并根据需要去除和沉积基板上的材料。这种方法对于精密蚀刻特别有用。其次是用于溅射沉积的高速率失衡磁控管溅射（HRuMS）。该技术利用真空室中产生的高能等离子体将材料电离并沉积在基板上。磁控管是一种电磁体，用于塑造和聚焦等离子体，以达到比传统的溅射沉积技术更高的沉积速率。Eclipse Mark IV还具有先进的运动技术。运动自动化确保了基板和材料准确地输送到腔室。该系统还确保在放置和安装基板时具有很高的准确性和可重复性。此外，该装置利用闭环控制机来精确控制沉积室的运动，确保所有部件平稳准确地移动到精确的位置。TOKYO ELECTRON Eclipse Mark IV提供精确灵活的基板加热工具，允许温度范围为20°-400°C。该资产设计为提供最大的热均匀性，并配有热板和散热器。该加热模型提供了广泛的基材尺寸和形状进行处理。MRC/TEL/TOKYO ELECTRON Eclipse Mark IV利用先进的真空控制技术，为每个工作保持一致和清洁的加工条件。该设备设计为提供一个一致的大气层，最大腔室压力为6 Torr。此外,该系统还采用了CryoDiode涂层,以最大程度地减少单元污染。这种涂层也可以用氧气监测器就地监测。此外，还包括压力平衡的自动基板淋浴，用于有效的基板加工。来自MRC的MRC Eclipse Mark IV提供了先进的沉积、运动、加热和真空控制技术，以按照严格的标准制造半导体结构和器件。与传统的沉积系统相比，它提供了更高的产品质量和更高的吞吐量，是半导体制造的理想选择。
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