二手 ULVAC Entron W 200T6 #9003925 待售
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ID: 9003925
晶圆大小: 8"
优质的: 2005
PVD Sputtering system, 8"
Chemical dry pre-clean chamber
Anneal chamber for chemical dry pre-clean chamber
Anneal chamber for post anneal
PVD-Ni (Ring-Ni) chamber
PVD-TiN chambers
PVD Co chambers
Includes:
Open cassette buffer station
(2) Spare shields chamber
Host communications (SECS/GEM)
S2 Safety
TiN Target
Co Target
Ni Target and backing plate
Dry pumps
Gas scrubber
Platform: NCH6000
Process specifications: CDT + Co, Ni silicide process
Front interface: Buffer station (4) ports open cassette type
Gas scrubber
Substrate size: 200 mm
Signal tower
Standard chambers layout and chamber
Platform: ENTRON NCH6000 Tandem core
With intermediate chamber isolation valve
Compatible with differential pressure transfer (FX has Ar line with needle valve)
(2) KEYTRAN4Z Vacuum robots
Double hand type with wafer pickup (A12O3)
Main pumps:
(2) SHIMADZU TMP403LM
(2) CRYO T6E RS10
(4) BOC EDWARDS Fore pumps
C30ZR Cryo compressor
(2) G-TRAN BMR2/M-13 Vacuum gauges
(2) G-TRAN BPR2/WPB-010-034 Pirani vacuum gauges
(2) Gas feed system: Gas piping for ventings (With filter)
Control system:
Operation unit: ULV100U-400 Model 17 liquid crystal display
Control system: MS-IVA
EDWARDS Dry pumps
Sputter source
Power supplies
Shielding
Targets
Manuals
2005 vintage.
ULVAC Entron W 200T6是一种高度先进的溅射设备，设计用于将薄膜先进沉积到基板上。该系统具有独特的功能，以满足广泛应用的需求，如薄膜光学、半导体器件和其他微电子器件。ULVAC ENTRON W-200T6是一个简单但功能强大的溅射装置。它配备了一个容量为200 mm的矩形基板级，使得基板在溅射涂层过程中可以均匀运动，使其适合加工大型基板。EntronW 200T6采用了一种新型的双枪溅射技术，使溅射材料具有更高的沉积速率和更好的均匀性。此外，通过在涂层过程中使用外部安装的磁控管溅射源，进一步保护基板免受有害颗粒和等离子体沉积。机器的数字控制单元还提供了几个用户友好的选项和功能。它包含一个多显示器显示器，使操作员能够密切注意涂层工艺。用户界面还提供目标组成、溅射压力、气流等不同的沉积参数。它还为用户提供了可编程的时间周期，使涂层工艺更容易、更高效。ENTRON W-200T6还采用先进的真空工具为沉积过程提供必要的环境。这种精密的真空资产包括旋转叶片运行超过每秒35升的涡轮泵，以及泵送速度高达每秒15升的涡轮分子泵。这种泵的组合确保了基板的快速疏散过程以及对腔室内环境压力的精确控制。最后,ULVAC Entron W 200T6还提供了一系列附加附件。这些附件包括晶片装载机、排气口、传感器和其他组件阵列。这些配件也使得该型号适合多种应用，从光学器件的薄膜、微电子元件，以及先进的薄膜电池电极。
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