二手 VARIAN / TEL / TOKYO ELECTRON MB2-730 HT #77413 待售

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ID: 77413
CVD system, 3 chamber WSi CVD, 8" Turned off and de-installed late 2007 Maintenance by: TEL Secs/gem: yes CE Mark: yes SW Version UI V4.8HL In elect rack: 3x Ebara TMP controller (306W), labelled for PM RH TMP, PM LH TMP, T-M TMP; CVD Utility controller Main Frame MBB730 (3 chambers) Maintenance Table UI-Rack Additional breaker box MBB-730 Main Power Distribution Power Rack Edwards D150 dual GRC, qty 3 , Edwards PN A55222110, 208v 3 PHASE Weigt: 380 KG Chiller TEL: 3 Box with cable/Process kit/manuals Gases: N2 (ox) 4 l/min N2 (red) 125 l/min Ar 1500 sccm WF6 15 sccm ClF3 1500 sccm DCS 1500 sccm 1996 vintage.
TEL MB2-730高通量溅射设备是为制造和研究应用而设计的溅射系统。该装置非常适合纳米级沉积,并提供了更高水平的工艺控制、性能和可靠性。它具有双磁控管射频溅射源,以及先进的多面电离和直流溅射目标,能够生产高质量、均匀的薄膜。该机还有一个集成的高真空室,能够实现超高真空水平的高纯度薄膜沉积。该工具提供了许多出色的功能,使其非常适合各种工业和学术应用。它有一个快速响应控制套件,使资产能够在操作周期内在其流程性能的峰值或接近峰值时运行。这减少了重新校准的需要,并在生产过程中节省了时间。该模型还具有多种配置选项,以允许各种类型的薄膜沉积,以及不同的溅射目标材料。MB2-730高通量溅射设备还具有先进的电源管理功能。该系统具有低噪声电源,该电源经过优化以达到最佳效率水平,可提供卓越的电源传递和最小化的功耗。电源与直流和射频溅射源兼容,并提供一系列的输出电平,以适应各种目标材料和基板尺寸。此外,该装置有一个离子源,通过在沉积过程中提供更高浓度的离子,有助于扩大沉积膜的厚度。这减少了对多个沉积周期的需求,导致生产运行时间缩短,生产成本降低。而且,它允许更容易和更精确地控制溅射过程,从而产生一致的薄膜厚度和均匀性。最后,MB2-730高通量溅射机采用先进的安全特性,保证了工具在工业和学术环境中的安全运行。安全特性包括可密封腔室,可用于隔离射频和直流大功率电源,防止人员在操作过程中进入活动区域。此外,资产还具有实时安全模型,可监控设备和任何样品材料的热、机械和电气状况,确保每项工作的安全和准确运行。
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