二手 CENTROTHERM c.PLASMA AlOx #9409520 待售

CENTROTHERM c.PLASMA AlOx是一种扩散炉及其配件，为满足复合半导体生产工艺日益增长的需求而研制。它是一种高性能的工具，用于沉积氧化铝（AlOxN）层和其他具有极好的均匀性和重复性的复合半导体材料。它的等离子体源技术确保了整个样品上均匀的离子通量。CENTROTHERM c.PLASMA AlOx提供全自动的过程控制，包括蒸气压力和通量的自动调整，允许精确、可重复的结果。集成射频源能够产生具有低电阻、均匀轮廓的等离子体。超低压氮环境确保所有沉积层保持清洁。CENTROTHERM c. PLASMA AlOx提供精确的温度控制，温度范围为100°C至1,000 °C，可用于多种过程，包括动能气相沉积（KVD）、快速热过程（RTP）和快速热退火（RTA）。它还拥有先进的真空设备，配有吸气器、涡轮增压泵和旋转泵以及压力表，设计用于快速可靠地撤离腔室。整个CENTROTHERM c.PLASMA AlOx系统由一个反应室、等离子源、RF发生器、独立的PT 100热电偶、真空单元和可选的气体进料组成。该反应室是专门为种植复合半导体材料而建造的，由AISI不锈钢制成，具有耐腐蚀性。通风和冷却通过高压风扇、吸热和放热加热器以及热交换循环提供。基机还包括一个集成的电阻加热元件，使样品能够得到一致和均匀的加热。不同的晶片持有者可以与反应性室结合使用，以支撑各种样品几何形状。CENTROTHERM.PLASMA AlOx可以通过用户友好的图形用户界面远程控制,通过该界面可以执行所有必要的过程步骤。它还可以集成到大多数半导体生产线中，并连接到监控系统。总体而言，CENTROTHERM c.PLASMA AlOx是在复合半导体生产中实现严密工艺控制的强大而可靠的工具。凭借其集成的射频源、精确的温度控制以及其他先进的特点，为生产高质量和可重现的金属氧氮化物层提供了理想的解决方桉。