二手 HITACHI / KOKUSAI DD-1206VN-DM #9281054 待售
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ID: 9281054
晶圆大小: 12"
优质的: 2004
Diffusion furnace, 12"
Quixace I / QWM
Furnace:
Quixace-mini (Silica bake) furnace
D4EX25085 Heater
RHC Heat (Quick-cooling)
RC-100 Exhaust pressure controller
Furnace mount
Scavenger
Process exhaust duct
Automation:
I/O Shutter
FOUP Transfer unit and loader
Rotation FOUP rack unit: 12-Step carrier stage
FOUP Opener unit
Wafer detect unit
Notch detect unit
Wafer transfer unit
Boat elevator unit: Up/down
Boat rotation unit
Furnace shutter unit
Gas (N2, O2):
Gas pressurized unit: Silica bake
Gas detector
Gas box
Controller:
CX3010 Controller
CQ1700 Temperature controller
Power control unit
2004 vintage.
HITACHI/KOKUSAI DD-1206VN-DM是一个扩散炉及附件封装，为各种半导体基板的快速热处理提供自动化、高性能的解决方桉。该炉由连接电源控制单元的石英管和石墨电阻加热器、引入气体的流量设备、温度设定点和监测的温度控制单元以及运行整个系统的真空泵组成。膨胀箱具有多个温度区，使其能够与独立的加热区同时处理几个基板。扩散炉设计用于CVD和PECVD的各种半导体工艺和晶圆尺寸，从150毫米到300毫米不等。它具有高达1,250 °C的高温范围,以及变化± 0.1°C、均匀度± 0.25 °C的严密温度控制,允许优化热过程。该机组还拥有高效的气流，提供均匀的热处理和提高的吞吐量。其脱氧套件也可用于降低氧化物蚀刻和沉积的氧气水平。除熔炉外，HITACHI DD-1206VN-DM还包括诸如热板、感应载体、高温气体进气管以及便于进入需要加工的基板的装载井等附件。其坚固的结构确保了可靠的性能，而其先进的基于微处理器的控制器提供了比市场上其他扩散炉更好的加热控制。KOKUSAI DD-1206VN-DM是氧化、退火、扩散和薄膜沉积等过程的理想选择，可用于各种行业，包括消费电子、太阳能电池、生物传感器和医疗仪器。DD-1206VN-DM具有高精度的温度控制、高效的气流机和广泛的配件选择，可以满足现代热处理的苛刻要求。
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