二手 KOKUSAI Quixace II ALD High-k #9196072 待售
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ID: 9196072
晶圆大小: 12"
优质的: 2010
Vertical LPCVD furnace, 12"
Process: CG DEP PROCESS (TaN)
Power rating: 480 AC, 3 Phase
(5) Loaders
System configuration:
Furnace unit:
Cartridge heater
(5) T/C for heater control
(5) T/C for over temperature protection
5-P T/C for cascade control
Thyristor unit for control
(4) Clean module units
Controller:
Main controller (OU)
Main operation unit
Sub operation unit
Process module controller
DDC Temperature controller
Gate drive unit
MFC/ Pressure unit
FOUP Loader controller unit
Wafer handling controller unit
Valve / Interlock control unit
Switching hub
Signal tower (Front)
(2) Gas flow pattern panels
EDA Controller
EDA Operation unit
Drive mechanisms:
I/O Shutter
AGV / PGV / OHT Stage
FOUP Loader
Rotation FOUP storage
FOUP Opener
(2) Wafer detections
Wafer transfer
Variable wafer pitch converter
Boat elevator
Boat changer
Furnace port shutter
Boat rotation
Wafer transfer crash detector
Gas system:
Gas unit (IGS)
Bottle heater
Stainless steel Ampoule with ultrasonic level sensor
4-PT Level sensor controller
Exhaust system:
Dry pump / Mechanical booster pump
Diaphragm sensor:
1000 Torr: 631C13TBEH
10 Torr: 631C11TBEH
10 Torr: 722B11TCE2FA
Main valve (VEC-SHA8-X0340)
Exhaust piping
Exhaust dilution line
Reactor tube press leak line
Back ground line
Jacket heater for exhaust pipe
Seal cap heater
Inlet flange heater
Reactor tube port heater
Safety:
Light curtain system
(2) OHT I/F Units
CIDRW Controller
(2) AMP Units
(2) CIDRW Headers
(2) Chemical filters
N2 Purge load lock system:
O2 Monitor / Detector
FOUP Opener: N2 Purge system
Loading area:
MFC
N2 Purge line
FOUP Opener: N2 Purge Line
Currently installed
2010 vintage.
KOKUSAI Quixace II ALD High-k是一种最先进的原子层沉积（ALD）扩散炉，可用于高温和高步分辨率工艺控制的薄膜生长。它结合了用户友好的功能，例如高精度的温度控制设备，以及高效可靠的热气源和稳定的工件卡盘。该炉的一个独特特点是其两级反应物输送系统，能够以极好的精度输送大量反应物。反应物输送装置是高度可配置的，可以适应一系列的沉积应用，使其成为一个令人难以置信的通用设备。本机还配有一系列配件，以进一步增强其能力，确保满足用户的要求。这包括一个用于精确温度控制的气流工具，以及一个可编程逻辑计算机，允许在较高温度下定制和更好地控制ALD过程。该炉还配备了一套安全功能，包括压力和温度监测，以及过温关闭。Quixace II ALD High-k扩散炉的设计旨在在一系列工艺条件下可靠地运行,重点是提供一致和精确的结果。该资产经过专门设计，可精确沉积多种高k介电材料，如HfO2、ZrO2和Al2O3，具有精确的层厚度均匀性。更有甚者，KOKUSAI Quixace II ALD High-k由于其双级反应物递送模型，能够控制整个ALD过程，同时避免沉积膜表面的任何不一致。此外，该设备的均匀热分布有助于减少反应时间并确保可靠的沉积速率。最后,系统配备了自动化硬件诊断,可为用户提供有关流程参数的即时反馈,使他们能够优化流程并根据需要进行调整。Quixace II ALD High-k是一款先进的扩散炉，为薄膜的生长提供了一个用途广泛、用户友好且可靠的平台。它配备了两级反应物输送单元、气流机和可编程逻辑计算机等一系列功能和配件，所有这些都有助于提供一致和精确的结果。对于那些希望在最高温度水平下进行大分数沉积过程的人来说，这种设备是理想的选择。
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