二手 KOKUSAI Quixace II ALD High-k #9196893 待售

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ID: 9196893
晶圆大小: 12"
优质的: 2012
Vertical LPCVD furnace, 12" Model: DJ-1206VN-DF Process: CG System power rating: 480/120 Loading configuration: 5 System configuration: Furnace unit Valve box Gas box I/O Module Operation box Power box Blower box Currently installed 2012 vintage.
KOKUSAI Quixace II ALD High-k是为高性能原子层沉积(ALD)工艺而设计的扩散炉及配件。它支持包括等离子体增强ALD和高k膜线性沉积在内的一系列工艺功能。该设备结合了强大的沉积能力和过程控制,以实现高效的ALD处理。高k版本的Quixace II ALD炉结合了等离子体和热沉积,创造出高度保形、致密的高k薄膜,具有非凡的均匀性。该系统自给自足的等离子体源提供高能量的快速沉积和优异的间隙填充性能。此外,内置的温度控制室在需要时可确保均匀的热沉积。Quixace II ALD High-k还通过直观的图形用户界面提供用户友好的操作。动态控制单元根据用户输入自动控制和优化沉积参数。此外,机器还提供多种晶片加载模式,用于手动或盒式装载,并且可以配备外部远程等离子体源,允许预先清洁或RTO等过程。KOKUSAI Quixace II ALD High-k还具有独立的清洗工具和耐腐蚀的不锈钢工艺室,以提高可靠性。该资产配备了先进的诊断,包括质量流控制器、专用仪表、热电偶、光发射光谱仪和金属有机化学气相沉积(MOCVD)质谱仪。此外,外部热墙设计允许直接查看晶圆沉积,以及专用的远程监视器,方便和安全地查看。对于高级流程监控,Quixace II ALD High-k模型还提供了全套数字实时计量和控制。总体而言,KOKUSAI Quixace II ALD High-k设备提供高性能ALD,用于生产具有卓越速度和精确度的均匀高k薄膜。它结合了先进的技术和直观的界面,既简单的操作又复杂的过程控制。这个功能强大的系统提供了一个高度可靠和用户友好的平台,可提高制造车间的生产率。
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