二手 KOKUSAI Quixace II ALD Oxide #293641469 待售

KOKUSAI Quixace II ALD Oxide是为集成电路（IC）晶圆的高级氧化沉积过程而设计的扩散炉及配件。该设备由一个负载锁室、一个加工室、一个真空系统和一个能源组成。这种扩散炉被设计成以极高的精确度处理超细晶片（低至10 nm厚），允许沉积高品质和均匀的氧化层。Quixace II ALD Oxide提供三种主要功能，化学气相沉积（CVD）、热氧化和快速热氧化（RTO）。KOKUSAI Quixace II ALD氧化物利用低压化学气相沉积（LPCVD）和雾化CVD （ACVD）的最新进展，为IC提供高度均匀和可重现的晶片表面沉积。该单元有效地将介电层沉积在IC上，形成复杂的模式，包括布线和被动/主动结构材料。用于沉积过程的典型气体包括硅烷、氧气和氨。对QuixaceII ALDoxide工艺室中进行的热氧化过程进行了优化，使IC壁上的氧化物层均匀生长耗尽。温度是预先编程的,可以在150°C至900°C的温度范围内进行调整,并且在整个晶圆表面具有极好的均匀性。最后,KOKUSAI Quixace II ALD氧化物的快速热氧化（RTO）能力在不影响热均匀性的情况下提供了超高速氧化率和氧化物在IC上的沉积。RTO工艺是在负载锁定室中使用高达1200°C的温度快速在IC表面上形成高质量的保护层。Quixace II ALD氧化机是一种可靠、方便、高效、准确的IC晶片氧化沉积技术。它旨在提供过程一致性、可重复性和严格的过程控制,使其成为从事高精度工作的实验室的理想选择。