二手 KOKUSAI Quixace II #9355289 待售

KOKUSAI Quixace II
ID: 9355289
晶圆大小: 12"
优质的: 2007
Vertical LPCVD furnace, 12" Boron doped poly 2007 vintage.
KOKUSAI Quixace II是一种最先进的晶体氧化物薄膜沉积设备。它是一个扩散炉,有一系列的附件设计,使其易于沉积和蚀刻结晶氧化物薄膜在各种基板上的严格控制。该系统配备了精确的电子定位单元、扩散源、光刻工具和溅射工具。电子定位机允许用户将基板支架和感应耦合等离子体(ICP)源精确定位在整个腔室尺寸的一个小窗口内。这允许精确的膜生长速率控制、掺杂和表面清洁,同时也将污染风险降至最低。扩散源提供了一个均匀的温度剖面和高纯度的氧气,允许可靠和均匀的膜沉积。光刻工具允许对基板上的薄膜进行精确的图样化,溅射工具使更深层次的蚀刻能够创建高度详细的结构。KOKUSAI QUIXACE-II用户界面简单直观,允许快速设置和沉积过程。用户友好的图形显示允许轻松选择过程参数和更改。软件允许每层选择不同的沉积,如氮掺杂、层厚度控制等等。这样就能很好地控制所需的精确模式和沉积。此外,Quixace II还附有一系列先进的自动安全功能。它配备了一个警告工具,在出现任何危险的第一个迹象时向用户发出警报。此外,它的设计方式是用户在沉积过程中可以手动控制ICP源电源。这减少了由于故障而导致ICP源意外失火的风险。由于其特点,QUIXACE-II是薄膜沉积研发的宝贵工具。其先进的特点和安全系统使沉积过程得到精确控制,完善了尖端晶体氧化物薄膜的发展。
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