二手 KOKUSAI Quixace Ultimate ALD SiN #293818331 待售

KOKUSAI Quixace Ultimate ALD SiN是为AdvancedLocal-Oxide jackeled Epitaxial Growth （ALD）设计的扩散炉及配件。该装置利用局部氧化膜的压电效应，在晶片上输送性能均匀的高质量外延膜。SiN扩散炉能够同时处理多达五个晶圆，并且可以处理高达1000 °C的温度。该设备针对均质氧化膜和最小电阻率在晶片上进行了优化。扩散炉利用局部氧化物夹套的压电效应，将外延膜生长至2微米厚。配备75毫米螺距和石英热源，以提高热稳定性。悬臂板反向机构可确保均匀的薄膜具有均匀的性能。此外，各向异性氧化产率（AOY）和模式氧化控制（POC）设置可以精确控制氧化膜的生长速率。高能等离子体发生器产生高能等离子体流，与晶圆准直。这种离子轰击加速了氧化膜的生长，加上晶圆的局部氧化速率。此外，扩散炉还使用微波等离子体，以精确控制提升氧化速率。等离子体发生器也使系统能够达到每秒5000-10000埃的可控氧化速率。该机组配备了一个特殊的排气机，设计用于减少空气污染。空气不断地通过炉子被吸入，腔室压力不断地保持在N2/H2大气中，从而减少了通过空气受到污染的机会。过滤器还有助于减少排气中的氧化物粉尘。该炉设计有一个腔室倾斜工具，以便在维护过程中方便地访问资产。倾斜室带有一个内置的安全门锁，并提供了对模型的多向访问以进行检查和维修。Quixace Ultimate ALD SiN的尖端技术使用户能够以精确和最小电阻率打造高品质、均匀的外延膜。方便的维修和排气设备设计进一步提高了该系统的价值，为用户提供了高效可靠的扩散炉。