二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura ACP DPN HD Gate #9300031 待售

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ID: 9300031
晶圆大小: 12"
优质的: 2014
EPI System, 12" Process: DPHe Type: Decoupled plasma nitride (2) Load ports Remote components: (4) SMC INR-498-012D-X007 Heat exchangers Power supply: 3 Phase, 200-208 V, 50/60 Hz, 23 A (4) EDWARDS iH600 Vacuum pumps Power supply: 200-208 V, 26.7 A, 3-Phase, 60 Hz Chemicals used: 50/50 Di/Glycol Chemicals used: N2, PCW (4) RF Generators (2) IPUP Does not include Hard Disk Drive (HDD) Power supply: 208 VAC, 3-Phase 2014 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura ACP DPN HD Gate是一款最先进的电化学asher/蚀刻器,旨在提高半导体器件加工中的层对层均匀性。与传统的半导体加工蚀刻和灰分加工技术相比,该蚀刻/灰分具有几个独特的优点。AMAT Centura ACP DPN HD Gate是第一款实现高密度门(HDG)技术的干式光刻剂(DPN) 蚀刻器/asher。HDG技术是基于使用焦点棒来减小蚀刻器/灰门与晶圆表面的间隙。这种设计允许更高的蚀刻速率,更好的均匀性和降低金属浓度的蚀刻气体。ACP DPN HDG门还提供了改进的选择性和表面损伤公差。这种蚀刻器/asher使用低温等离子体源来创建等离子体云,它允许晶圆表面各类材料之间的高度选择性。这种选择性减少了表面损伤,提高了工艺产量。在整体性能方面,AMAT Centura ACP DPN HDG Gate能够以令人印象深刻的蚀刻速率、均匀性和选择性蚀刻蚀刻层。它的高温处理能力允许在蚀刻过程中实现一致的阶跃覆盖,而其低温等离子体源则允许实现高性能半导体器件所需的小规模特征。APPLIED MATERIALS Centura ACP DPN HDG Gate是一款先进的蚀刻器/asher,旨在帮助优化半导体器件加工中的层对层均匀性。与传统的蚀刻/灰分处理相比,此蚀刻器/灰分可提高蚀刻速率、均匀性、选择性和表面损坏公差。其HDG技术和低温等离子体源大大缩小了蚀刻器/灰栅极与晶片表面的间隙,提高了工艺的产率并允许生产高性能半导体器件。
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