二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura DPS II Metal #9288582 待售
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ID: 9288582
晶圆大小: 12"
优质的: 2006
Metal etcher, 12"
Chamber configuration:
Chamber A: DPS II Metal
Chamber C and D: ASP
Process chamber:
Process kits:
DPS II Poly parts / Chamber
Lid
ESC Power supply: 0010-14630 HV Module
Control type: TGV VAT 65050-PH52-AFS1
EOP Type: Monochromator
Independent Helium control: IHC Module dual 0010-07061 649A-14943
Transfer chamber:
Robot type: VHP Dual blade robot
General function:
Wafer out of position detection: LCF Sensor
Loadlock chamber:
SWLL Body: LLA/B A(0040-87833), B(0040-87834)
EFEM:
(3) TDK TAS-300 Load ports
Carrier ID reader: OMRON V640-HAM1 1-1
Air Intake system: (FFU)
Light curtain
YASKAWA 0190-14738 XU-RCM6841 FI Robot
YASKAWA XU-ACP4860 Wafer align
Wafer out of position detection: Blade finger sensor
Side storage: L
Remote interface:
Components interface:
Dry pump (transfer chamber) missing
Chiller missing
System monitor:
Monitor 1: Workstation 0246-00040
Components:
Turbo molecular pump:
TMP Model / Type: STP A2503PV
BOC EDWARDS PT43-56-000
RF Power:
Source RF generator:
APEX 3013 0920-00113
Frequency / Maximum power supply: 13.56 MHz / 3 kW
Bias RF generator:
APEX 1513 0920-00114
Frequency / Maximum power supply: 13.56 MHz / 1.5 kW
RF Match box:
0190-27576 3155132-001 Source
0190-15167 3155126-009 Bias
Utility:
Gas panel type: Next gen
Gas panel exhaust: Center exhaust
(12) Gas lines
Gas line tape heater (for liquid gas): BCL3 200 sccm
MFC Configuration:
MFC Type: Device net
MFC (All Chamber): UNIT IFC-125C
Gas information:
Gas / Gas name / SCCM
Gas 1 / CL2 / 200 SCCM
Gas 4 / CL2 / 300 SCCM
Gas 5 / 7% C2H4/HE / 400 SCCM
Gas 6 / SF6 / 400 SCCM
Gas 7 / O2 / 1000 SCCM
Gas 8 / CF4 / 50 SCCM
Gas 9 / AR / 400 SCCM
Gas 10 / CHF3 / 50 SCCM
Gas 12 / AR / 400 SCCM
Axiom chamber:
Gas / Gas name / SCCM
Gas 7 / O2 / 10000 SCCM
Gas 8 / CF4 / 300 SCCM
Gas 10 / N2 / 1000 SCCM
System controller:
FES: IBM 306 0090-23318
FIS: IBM 306 0090-22269
MF SBC: CL7
CCM SBC: 400 MHz
MF Controller:
Mainframe device net I/O: CDN494
AC Rack: Non remote UPS rack
Power supply: 208 V, 50/60 Hz, 3-Phase, 320 A
2006 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura DPS II Metal是一种高性能蚀刻/灰烬设备，设计用于蚀刻和去除半导体晶片上的金属层。它提供了一种快速、低温的工艺，能够蚀刻到1.5µm，是先进芯片制造的理想选择。DPS II Metal包括两个反应性离子蚀刻器（RIE）和两个感应耦合等离子体（ICPC）处理室。RIE腔室设计用于使用离子进行蚀刻过程，而ICPC腔室是使用反应性元素的灰烬过程的理想选择。该系统使用高功率的氙灯作为能量来源，以便在20°C至250°C的温度下进行蚀刻和灰化。激光干涉测量单位用于测量各层的厚度并在蚀刻过程中提供反馈。该机提供高蚀刻/灰分精度和重复性，以实现精确可靠的金属蚀刻，减少循环时间。其高级软件允许用户创建程序序列和配方，以控制满足每个步骤的确切要求所需的过程参数，从而允许层间的过程优化。此外,DPS II Metal还具有高速电气控制功能,可确保高效的工艺性能。该工具配备了安全联锁、惰性气体传感器、警告灯和警报器等安全功能，都是为了防止事故发生。该资产易于操作和维护,其组件易于访问和更换,确保了长期的模型可靠性。AMAT Centura DPS II Metal是一款先进的蚀刻/灰烬设备，旨在为先进的芯片制造提供精确的金属蚀刻。通过使用高功率氙灯和激光干涉测量系统，可以实现可重复蚀刻精度，并支持广泛的工艺参数。它易于操作和维护,同时具有多种安全特性,是各种制造工艺步骤的理想选择。
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