二手 HITACHI M 712 #9242176 待售

ID: 9242176
晶圆大小: 8"
Etcher, 8" (3) Cassettes / FOUP Positions SECS II Interface: HSMS (2) EDWARDS iQDP80 Loadlock pumps (2) EDWARDS iQDP80 Chamber pumps (2) SMC INR-497-001 Chillers 2-Channels cooling Power supply: 208 VAC, 3-Phase, 50/60 Hz Mainframe: Robot P/N: CR-712V HITACHI FOUP Loader Chamber: ESC Type: Bipolar Endpoint type: PMT/ OES SHIMAZU EC TMP 3203LMC-K1 EC TMP Controller DAIHEN ES7-IIA EC Source generator PEARL CF-500-400K EC Bias generator Gas configuration: Line / EC1 / EC2 1 / Ar 500 / Ar 500 2 / C12 300 / C12 300 3 / SF6 200 / SF6 200 4 / HBr 200 / HBr 200 5 / CF4 150 / CF4 150 6 / CHF 3200 / CHF3 200 7 / O2 30 / O2 30 8 / CHF3 50 / CHF3 50 9 / SF6 50 / SF6 50 10 / C12 30 / C12 30 2006 vintage.
HITACHI M 712是为微电子器件制造而设计的蚀刻器/灰烬。它是一种先进的蚀刻和灰化(干蚀刻)技术,可用于任何材料的蚀刻,包括金属、非金属、氧化物和聚合物。该设备是基于等离子体的联合蚀刻和灰化工艺,并配有低温化学干蚀刻(LTCDE)和汽化元素与基板反应的灰化室。该系统能够加工各种基材,包括玻璃、石英和聚酰亚胺。它还包含一个大功率发电机、一个涡轮分子泵机和一个低温化学干蚀刻室。M 712蚀刻和灰化过程是一个两步过程,其中蚀刻和灰化条件分别控制。在蚀刻过程中,在基板上施加了一股高温氙气等离子体,以蚀刻基板表面。Ashing process following the retching process and the plasma is replaced by a neutral hydrogen ashing agent.灰化剂的温度是可调的,以保证最佳的蚀刻和灰化效果。机器还包括一个控制器和一个远程终端,以微调所需的蚀刻和灰化结果的参数。HITACHI M 712的最大蚀刻深度为5000纳米(5微米),最小蚀刻深度为500纳米(0.5微米),最大蚀刻速率为1微米/分钟,允许精确蚀刻和灰度。该工具还能够在45分钟内实现200个晶圆的最大吞吐量。此外,该资产还包括高级流程控制软件,以确保准确性和可重复性。除了蚀刻和灰化,M 712还提供了利用附加模块的能力,如热氧化物薄膜沉积模型、抗蚀条、蚀刻止动和背面清洁工艺。该设备还具有同时蚀刻基板两侧的能力。这些附加模块具有很高的流程重复性和灵活性。总体而言,HITACHI M7 12是一种先进的微电子器件制造蚀刻和灰化系统.其先进的工艺控制软件和附加模块允许对各种基板进行精确和可重复的处理。此外,它的低温蚀刻和灰化工艺可以更好地控制蚀刻深度、速率和穿透,从而提供了一种通用且高效的蚀刻和灰化解决方桉。
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