二手 LAM RESEARCH TCP 9600 #9098467 待售

ID: 9098467
晶圆大小: 6-8"
优质的: 2010
Etcher, 6-8" Wafer type: flat (single type chamber) Loading capacity on 1 process run: (7) sheets X 2” wafer available (GaN process) Creates plasma on the order of 10e11 - 10e12 ions/cm3 Operating in pressure regime of 1-20 mtorr Etch rates of 3,000 to 10,000 A/min 2010 vintage.
LAM RESEARCH TCP 9600是一款高科技干式蚀刻器/asher设备,设计用于蚀刻、溅射和薄膜沉积等半导体加工应用。该系统使用两个离子源进行蚀刻和沉积薄膜,一个用于溅射,一个加热卡盘用于样品制备。蚀刻器/asher具有一个底压为5.0 x 10-7 torr的真空室,并在整个单元内提供均匀的低压。它是一台大型机器,有八英尺的腔室深度,可容纳多种晶圆配置,直径可达六英寸晶圆。该工具采用嵌入式高性能过程控制(HPPC)资产设计。该模型使腔室组件的控制和若干附加工艺参数的控制自动化。它允许用户对腔室过程和等离子体条件进行高级工艺开发、编程和控制。LAM RESEARCH TCP 9600的先进能量粒子控制(EPC)为蚀刻和溅射源提供独立的功率控制。这提供了每个源的独立优化,同时也提供了改进的过程均匀性和高密度等离子体。该设备还设计有用于蚀刻和溅射源的精确对准系统(PAS)。这样就可以准确对齐源,以实现尽可能高的吞吐量。利用PAS,该腔室可以在恒定和浅层蚀刻应用中保持最大吞吐量。此外,TCP-9600还包括整个会议厅的实时监测和报告单元,提供实时反馈和利用分析,以便进行流程优化。机器还有一个工程师的包,其中包括全系列的工艺配方、模板和模型。TCP 9600的设计提供了极大的过程灵活性和统一性。其先进的能量粒子控制和精确对准系统提供高质量的蚀刻和溅射过程,而其实时监测和报告系统则为用户提供不断的反馈。该工具为半导体处理应用提供了可靠的解决方桉,非常适合需要最大程度的过程灵活性和均匀性的用户。
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