二手 MATRIX 205 #9201811 待售
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ID: 9201811
晶圆大小: 6"
Plasma asher / descum dry clean system, 6"
Including ranging:
50mm up to 150mm
The system optimizes vital device parameters:
Enhanced gate oxide integrity
Reduced threshold and capacitance voltage shifts
Reduced contact resistance / Oxidation
Photoresist Stripping:
High dose implant
Post-polysilicon etch
Post-metal etch
Post-oxide etch
Controlled resist removal:
Post-develop descum (pre-etch)
Dry / wet process capability
Uniformity capability (<5% 1σ)
GaAs, InP wafer strip and descum
Thin film head resist cleaning
Opto-electronic devices cleaning
MEMS
Single wafer multi-Step Processing:
Precisely controlled & repeatable stripping of each wafer
(3) programmable steps + overstrip
Capable of long process times for exceptional control
High throughput:
35 WPH on 150mm substrate
Aluminum Wafer Chuck:
Fast
Precise
Uniform removal of resist
Low Particles:
0.1 particles (>0.3μm) added per cm2
Proven System Performance:
700 System ones in use worldwide
95% uptime
Proven Reactor Design:
Closed-loop temperature control
Stable range for strip:
150°C – 250ºC (+/-5°C)
For descum:
70°C – 150ºC .
MATRIX 205是一种在微电子工业中常用的蚀刻器/asher，以便在晶圆的表面上创建复杂的形状、图桉和图像。该装置配备了高真空系统，使其能够精确蚀刻精细电路等几何形状，并且能够进行非常高分辨率的成像。通过设备的使用，除了通过清洗、平面化和蚀刻后清洗等各种其他任务外，还可以蚀刻各种尺寸的形状，如线条、弧形、多边形和圆圈。该装置采用低温泵来提供超高真空和离子源来提供蚀刻均匀性。蚀刻过程由电场驱动，通常在圆柱形腔室中产生。蚀刻图样的形状和大小由用于蚀刻过程的气体类型，以及用于馈送离子源的电流和电压决定。该装置还包括一个真空冷却器、一个支架和一个视图端口，并且能够产生一个线宽低至0.5微米。蚀刻和清洁过程非常有效,通常需要大约五分钟才能完成。蚀刻图桉精度小于1微米。此外，205可以一次执行多个蚀刻任务，能够同时执行三个或更多蚀刻步骤。这意味着该设备可用于快速产生复杂的电路，而无需手动更改蚀刻过程。此外,该设备具有内置的监视器和诊断系统,使其能够提供即时反馈并排除可能出现的任何过程问题。MATRIX 205可靠性高,易于使用,价格合理。它是微电子工业中产生复杂图样、电路和图像的理想工具。
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