二手 NEXTRAL NE 100 #293828894 待售
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ID: 293828894
Etcher
Mask: Resist, SiO2, Si3N4, Metal
Wafer Holder, 4"
HF Generator: 300 W at 1356 MHz
Gas Lines: SF6, CHF3, O2
Temperature range: 5°C to 40°C
End point detector: Laser interferometry (670 nm).
NEXTRAL NE 100是一款针对先进半导体制造工艺而设计的尖端蚀刻/asher设备。这种高度精密的工具利用等离子体和化学过程的组合,有效地去除基板如晶片表面的污染、残留和氧化物,以确保设备的最佳性能和可靠性。NE 100采用最先进的技术设计,可提供精确和统一的蚀刻/灰化结果,使其成为需要高性能和一致处理能力的半导体制造设施的重要工具。NEXTRAL NE 100具有多功能的腔室设计,可容纳各种晶圆尺寸,从小型研发样品到全尺寸生产晶圆。该系统设有多个气体注入口和一个精密的气体输送单元,能够精确控制腔内的过程化学、温度和压力。这允许用户定制蚀刻/灰化过程参数,以实现特定应用程序所需的结果,从而确保最大程度的过程灵活性和可重复性。NE 100的关键亮点之一是其先进的等离子体生成机,利用高频RF(射频)电源在腔内产生高反应性等离子体放电。这种等离子体有效地分解了晶圆表面上污染物和残留物的化学键,通过物理溅射和化学反应机制的结合促进了它们的去除。该工具的等离子体源设计具有很高的稳定性和效率,确保整个晶片表面的等离子体密度和均匀性一致,从而以最小的变化获得精确的蚀刻/灰化结果。除了强大的等离子体生成能力外,NEXTRAL NE 100还采用了尖端的气流控制资产,能够在腔室内精确引入和溷合多种工艺气体。此功能允许用户创建针对特定应用程序定制的自定义工艺化学体系,从而增强流程灵活性和控制能力。该模型的气流控制设备还确保了高效的气体利用和分配,最大限度地减少了气体消耗,最大限度地提高了工艺效率。NE 100配备了先进的温度控制和监控系统,在蚀刻/灰化过程中调节晶圆温度。这种精确的温度控制对于实现一致和均匀的处理结果至关重要,因为温度变化会影响工艺的蚀刻速率、选择性和均匀性。系统的温度控制单元设计为在整个过程中保持稳定、均匀的晶圆温度,确保最佳工艺性能和可重复性。此外,NEXTRAL NE 100还具有用户友好的界面和直观的软件控制机器,可简化最终用户的操作和监视任务。该工具的软件允许对流程配方进行轻松编程、对关键流程参数进行实时监控以及为流程优化和质量控制目的进行数据记录。此外,该资产还配备了高级安全功能和诊断工具,以确保半导体制造环境中的可靠和安全运行。总之,NE 100是一种尖端的蚀刻器/asher模型,它为精密半导体制造过程提供了先进的功能。NEXTRAL NE 100凭借其最先进的等离子体生成、气流控制、温度调节和用户友好界面,为半导体制造设施提供了可靠、高性能的蚀刻和灰化应用解决方桉。
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