二手 OXFORD Plasmalab 133-ICP 380 #293830096 待售
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ID: 293830096
优质的: 2010
Etcher
Quartz ring
SiC Platen
ALCATEL ADP 122 P Dry pump, 415 V, 6 A
ALCATEL ATH 1300M Turbomolecular pump, 34000 RPM
AMU Motor: P5224-DC018SR-G21-3475H
GEN750W DC Power: 100-240 V, 9.5 A, 50/60 Hz
ALCATEL ACP 40G Dry pump, 4800 RPM, 1013 mbar
Transfer chamber sensor and reflector
BAUMER FZAM18P1155 M18 Thread
ALCATEL ACT 1300M / 1600M Turbo pump controller:
Power supply: 100-120 V, 200-240 V, 50/60 Hz, 750 W
RF Power:
ADVANCED ENERGY Cesar 0230, 2 MHz, 3000 W
ADVANCED ENERGY RFG1251, 13.56 MHz, 1200 W
Vacuum gauge:
MKS 628F, Torr
PFEIFFER PKR251,15-30V, DC 2W
EDWARDS AIM-X-NW25, 1 Bar~600 mbar
EDWARDS APG-L-NW16, 10-3~4 mbar
(5) Mass Flow Controllers (MFC):
Gas / Size
Ar / 100 SCCM
O2 / 100 SCCM
SF6 / 100 SCCM
CF4 / 200 SCCM
CHF3 / 200 SCCM
2010 vintage.
OXFORD Plasmalab 133-ICP 380是一款先进的蚀刻器/asher,提供可靠、高效的操作,是要求苛刻蚀刻/ashing应用的理想选择。该设备具有高性能的感应耦合等离子体（ICP）源,能够实现快速、高质量的蚀刻/灰化过程。OXFORD PLASMALAB 133 ICP380的核心是强大的13.56 MHz ICP源。这是耦合到一个实时数字控制器，允许精确控制蚀刻/ashing过程。ICP源能够提供高达65 W/cm2的高功率密度和高工程重复性。这样可以确保短周期时间和高吞吐量,同时保持出色的蚀刻/灰分质量。PLASMALAB 133 ICP 380具有5至20 mT的可调工作压力范围,最大电源电压为500V,最大等离子体源功率为500 W。该系统还包括一个用户友好的软件界面，允许轻松配置和优化蚀刻/灰化参数。PLASMALAB 133-ICP 380配备了多种配件,包括带有集成喷嘴的石英淋浴头,以及用于保护等离子体源免受意外过载的集成安全单元。该机器还具有很小的占地面积，使其能够轻松地集成到大多数现有的实验设置中。OXFORD PLASMALAB 133-ICP 380是半导体、MEMS和其他微加工工艺中蚀刻/着墨任务的绝佳选择。通过对蚀刻/灰化工艺的精确控制,出色的蚀刻/灰分质量和高效率,为要求高精度和高性能而又不超出预算的研究人员和行业提供了极好的成本效益比。
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