二手 OXFORD Plasmalab uEtch 300 / RIE/PE #188102 待售
网址复制成功！
单击可缩放
ID: 188102
RIE System, 12"
Process:
SiO2
Nitrides
Polymers
Lower platten: 380mm diameter
Adixen ATH 400HPC Turbo pump
HP Computer
Pentium dual core processor
ADVANCED ENERGY: RFG 1251 RF Generator(13.56MHz)
Plasma mode: RIE / PE Recipe controlled
Wafer stage temperature control: NESLAB RTE-7 Chiller
Gas Box:
(6) Gas lines
6 MKS 1179A MFC's installed
MFC 1 Gas: CHF3, Range: 100 SCCM
MFC 2 Gas: CF4, Range: 100 SCCM
MFC 3 Gas: O2, Range: 50 SCCM
MFC 4 Gas: AR, Range: 100 SCCM
MFC 5 Gas: N2, Range: 100 SCCM
MFC 6 Gas: C4F8, Range: 100 SCCM
Chamber heating jacket: 20°-80°C
Manual control
Graphite wafer holder: 12"
ALCATEL 2033C Corrosive roughing pump
EMO Button
Chamber up / down selector switch
Hoist up / down buttons
Operations manuals
System restore disk
System power: 208V, 3ph, 50 / 60Hz, 20A.
OXFORD Plasmalab uEtch 300是一种RIE/PE（反应性离子蚀刻/等离子体蚀刻）设备，设计用来蚀刻或粉刷多种材料。它是一个强大而可靠的蚀刻、沉积、溅射和植入过程系统。该单元由低压试点和"冷墙"技术组成，以尽量减少气体消耗。磁场限制完全使等离子体能够在一个可重复的过程中与材料自由和剧烈的反应。电源可以调整，为用户提供广泛的射频功率和频率设置。腔室呈半球形，最大单晶片容量为2英寸。它提供了一种具有自动主动气体平衡和温度控制功能的连续流动供气机，以确保统一的加工和可重复性。该工具有两个主要气源（NF3、SF6和CF4），也可与一系列其他气体以及不同处理技术的不同气体一起使用。气体输送设备采用整齐的设计，所有的控制和监控都可以在室内前部轻松接近。前置数字指示器和可操作性允许用户在保持完全控制的同时观察过程。该模型包括一个带有压力调节器和防腐蚀材料的排气设备，以保证长期的可靠性。自动加载器为用户提供6个插槽，并允许自动加载、卸载和处理晶圆。OXFORD Plasmalab uEtch 300 RIE/PE是寻找可靠、可重复和经济高效的蚀刻和/或灰化结果的业内人士的理想系统。该单元要求操作员参与最少，在蚀刻结果上提供高精度和均匀性，并具有所有必要的安全功能，以确保符合最新的工业法规。
还没有评论