二手 PINK / PLASMA TECHNOLOGY V8-G-AUTO #9401257 待售

ID: 9401257
优质的: 2013
Plasma system Protection class: IP 40 Generator: 2.45 GHz Micro Wave LEYBOLD Trivac LSS40-65 Vacuum pump Chamber dimension: Width: 260 mm Height: 150 mm Depth: 280 mm Volume: ~11 liters Compressed air: Connection: Øa 8 mm Pressure: >5.5 bar (relative) Gas supplies: Oxygen (O2) Connection: Tube Øa 6 mm Feed pressure (relative): Minimum: 2 bar Maximum: 6 bar Lot: Maximum: 1000 ml Minimum: 5 bar Nitrogen (N2) Connection: Tube Øa 6 mm Feed pressure (relative): Minimum: 2 bar Maximum: 6 bar Lot: Maximum: 50 ml Minimum: 5 bar Pressure measurement: 1000 - 0.1 Pa Vacuum pump speed: 65 m³/hour Pump exhaust air connection: Øi = 50 mm Noise emission: 70 dB (A) Electrical connection: (3) 230/400 V, 50/60 Hz, N/PE Connected load: 3.3 kVA MW Power: 600 Watts (Max) 2013 vintage.
PINK/PLASMA TECHNOLOGY V8-G-AUTO是一种自动化的高性能晶片蚀刻器/灰光器,旨在以精确、快速和精确的方式处理各种材料。该设备由两个主腔室组成,一个具有高密度反应性离子等离子体,另一个具有侧面安装视图端口的真空腔。该系统利用基于卡盘的真空夹紧装置,在加工过程中将晶片牢固地固定到位,可容纳直径从4英寸到6英寸的一系列晶片类型。PINK V8-G-AUTO利用高密度的反应性离子等离子体,它是通过将标准等离子体源与射频电源耦合而产生的。等离子体源和射频电源的这种组合允许晶圆蚀刻过程的精确调制。该机能有效蚀刻各种材料,如硅、石英、陶瓷和多晶硅氧化物。输入气体,如氮(N2)或氙气(Ar),被精确地计量并通过等离子体腔引导,在那里它们被通电并形成等离子体。等离子体中的反应性离子随后与晶片相互作用,在各种材料类型上提供高的蚀刻速率。可调等离子体参数(如RF和偏置功率)为用户提供了对蚀刻过程的控制,允许通过精细控制离子能量和蚀刻速率来改变Feature图像。晶片安装在晶片卡盘上,该卡盘可以牢固地固定在适当的位置,并在蚀刻过程中提供精确的手动或计算机控制旋转。真空室内的温度是可调的,促进整个晶片表面均匀蚀刻。PLASMA TECHNOLOGY V8-G-AUTO具有出色的工艺重复性和控制能力,具有多个可分批编程的蚀刻周期。该工具包括高级实时流程监控,以及用于详细流程编程的集成资产诊断和软件可选参数。此外,该模型还包括自动运输、物料装载和晶片卸载,以促进一致的蚀刻性能。它需要标准的电源连接,符合标准的清洁室做法,并符合当前的安全法规。V8-G-AUTO在各种材料的蚀刻和灰化方面具有优异的性能和效率,非常适合半导体元件的精密表面加工。该设备对离子产生的等离子体的精确处理及其对蚀刻过程的精确编程和控制能力,使其成为高质量表面加工应用的宝贵工具。
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