二手 PLASMATHERM 770 ICP #9123970 待售

ID: 9123970
晶圆大小: 8"
优质的: 1997
Ion coupled plasma etcher system Dual chamber Load lock shuttle lock transfer RFPP–RF5S RF power supply w/AM5 Six zone heater Pressure controller: PM5 RF20M with phase Model 919 hot cathode controller VAT PM5 adaptive pressure controller Dual pumping stack with Leybold 600C Leybold D65BCS Dual sofie endpoint detectors Gas chemistry: Non-chlorine side: (5) MFCs (1) N2 Purge Clorine side: (4) MFCs (2) N2 Purges Plasmatherm windows based OS 208V, 3 Phase, 50/60 Hz 1997 vintage.
PLASMATHERM 770 ICP是一款先进的干蚀刻蚀刻/asher设备,最初设计用于半导体行业的开发和工艺集成。它经过专门设计,以应对高长宽比蚀刻的挑战,使其适合最困难的过程和应用。该系统利用感应耦合等离子体(ICP)源,产生具有低电离种类的高密度等离子体,以获得比替代蚀刻系统更高的精度和均匀性。ICP在10.2MHz运行,功率范围高达400瓦,可精确控制功率和蚀刻深度。ICP还在450至950°C的温度下运行,压力范围为0-1000 mTorr,以增强灵活性和准确性。该装置还具有一个能量中性带电粒子(ENCP)源,其设计目的是减少对晶圆的长期损害。该光源消除了电离粒子,产生了更均匀的蚀刻过程,减少了对微观特征的损害,提高了整体精度。与其他蚀刻技术相比,ENCP还能够提供更高的蚀刻速率和更低的表面粗糙度。该机还具有三个运动轴和光机自动定心,以提高生产率和精度。使用5.8英寸的加工室,770 ICP可以安装任何尺寸的晶圆,并执行直径最大8.0英寸的蚀刻工艺。陶瓷衬里的加工室还具有统一的温度设计,创造了一个稳定的蚀刻环境。对于高级过程控制,该工具利用高级自动化功能,包括热控制、工艺配方管理器和半自动晶圆传输。还提供了一种全自动机器人气体资产,以减少操作员的干预和提高生产率,以及一种可追溯的气体输送模型,以更好地控制气体溷合物的成分。总体而言,PLASMATHERM 770 ICP 蚀刻器/asher设备是一种功能强大且可靠的工具,专为半导体行业中最困难的工艺和应用而设计。具有高密度等离子体、均匀配电、自动化气体系统等特点,具有优异的蚀刻精度和重复性。
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