二手 PLASMATHERM / UNAXIS SLR 730 #293585536 待售

ID: 293585536
晶圆大小: 8"
优质的: 2000
PECVD System, 8" Dual chamber Load locked (2) Carrier plates EDWARDS IQDP80 Vacuum pump with blower VARIAN Scroll vacuum pump: Load lock NESLAB HX-75 Chiller Electrical breaker box EMO Buttons RFPP RF5S RF Generator, 13.56 Mhz, 500 W Substrate maximum temperature: 350°C Temperature controller Power controller Manuals Gas box: MKS 1479A Mass Flow Controller (MFC) Size / Gases 1000 SCCM / N2 20 SCCM / NHS 1000 SCCM / N2 2000 SCCM / N2 2000 SCCM / N2 200 SCCM / (5) SIH4 20 SCCM / NHS RANGE / 1000 SCCM / N2 2000 SCCM / N2 2000 SCCM / N2 300 SCCM / C3F8 Power supply: 208 V, 3-Phase, 60 Hz 2000 vintage.
PLASMATHERM/UNAXIS SLR 730是一种蚀刻器/asher,为半导体器件制造中的应用提供了理想的设备。该蚀刻器专为洁净室操作而设计,具有全自动过程控制功能,能够处理200 mm以上200 mm以下的基板。该系统包括感应耦合等离子体(ICP)蚀刻和氧等离子体灰化等多种蚀刻和灰化技术。它配备了15个位置的几何操控单元,允许快速精确的样品定位。UNAXIS SLR 730利用ICP源进行蚀刻,并包括可选的集成远程源。这种构型与其他直流硫源蚀刻工艺相比,可实现更高的离子能、更长的等离子体寿命和更低的功耗。此外,ICP源允许精确控制蚀刻参数,如蚀刻速率和选择性。该机器还具有锁定负载的惰性气源,能够快速转换和最小污染。锁定负载的思想以及集成的远程源使得在单个工具中运行多步骤进程成为可能。此外,该工具提供精确的温度控制,并提供可重复和均匀的厚度蚀刻。该资产还能够在保持良好表面形态的同时,将晶片蚀刻和灰化到精确的深度。PLASMATHERM SLR 730经过预先校准,无需额外安装即可运行。该模型与所有常见的工艺气体兼容,有一个可选的晶圆交换设备,用于快速晶圆到晶圆的过渡。该蚀刻器提供对蚀刻和灰化过程的精确控制,并提供一系列选项,包括在线和集成质谱仪以及先进的端点检测。这样可以实现高质量、可重复的处理结果。该系统还具有机器人处理、多个处理室以及完全图形化的用户界面。总体而言,SLR 730是一款出色的蚀刻器/asher。提供自动化的过程控制和综合的远程源;该高科技装置能够对200 mm以下的基板进行精密蚀刻和灰化,并配备了多种蚀刻/灰化技术以及15位几何处理机,可快速精确地定位样品。PLASMATHERM/UNAXIS SLR 730具有运行多步骤过程的能力,是半导体器件制造的理想工具。
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