二手 SEZ / LAM RESEARCH RST 201 #9394221 待售
网址复制成功！
单击可缩放
ID: 9394221
晶圆大小: 8"
优质的: 1996
Spin etcher, 8"
Process: Poly SiO2
Medium 2:
Chemical
(2) PILLAR PE-10MA Pumps
Heat exchanger: 1.6 kW / 80 CC Chilled water
Mixing type: Base chemical to level, spike secondary with dosing pump
Dosing pump size: 10 ml
Filter housing
Medium 3:
Chemical
(2) PILLAR PE-10MA Pumps
Heat exchanger: 1.7 kW / 80 CC Chilled water
Mixing type: Base chemical to level, spike secondary with dosing pump
Dosing pump size: 10 ml
No filter housing
N2 Flow: SCCM Monitored
Dispense:
Suck back: (2) Stages-valve to suck back valve, 3/8"
Medium 2: Analog flow monitor
Medium 3: Analog flow monitor
HMI: Rear
Static bar
Chuck type: Bernoulli (Standard)
(6) Spare parts
System safety equipment:
EMO Switch type: Turn to release EMO
EMO Guard ring
Chemical delivery options
Gem interface
CDS Unit
SUB Unit and spare part
Facilities:
N2
CDA
UPW
Exhaust
Vacuum
Power requirements:
Remote power module
Line voltage: 400V VAC Platform
Line frequency: 60 Hz
UPS: Computer
1996 vintage.
SEZ/LAM RESEARCH RST 201是一种在半导体器件制造中用于减法化学过程的蚀刻器/灰化器。是用于Si、SiO2、SiN、聚酰亚胺、Metal等各种材料精密蚀刻的可靠、高性能平台。SEZ RST 201具有自动化学源容器管理设备、660 x 940 mm的大型工作包和用户友好的彩色图形用户界面（GUI）。它还配备了一个易于装卸晶片的集成机器人，以及先进的化学分析技术。LAM RESEARCH RST 201采用了高度先进的蚀刻工艺,可以快速、精确地构建复杂的几何形状。蚀刻过程是在一个清洁的低压室内进行的，以防止除气并尽量减少污染。其中包括一个能够调整蚀刻和保护性气体比例的气体溷合系统，以满足特定应用的需要。它还具有可变压力，可提高工艺速度，减少污染和磨损，提高蚀刻质量。RST 201包括一个精密的工具控制单元，用于监视和控制蚀刻器/asher的关键功能，并在蚀刻过程中监视工艺参数。这样可以确保准确维护和监控蚀刻过程,以保持产品的最高质量。还包括双室真空设计，提供低底压、高背侧压力的低真空压力环境，进一步增强蚀刻均匀性和生产率。SEZ/LAM RESEARCH RST 201能够进行湿蚀刻，这是当今半导体行业最常用的蚀刻工艺。它还能够进行干蚀刻，化学气体与要蚀刻的材料表面发生反应。该机器的设计旨在实现高性能过程，并使各种蚀刻图样（包括孔和槽）能够快速准确地蚀刻。SEZ RST 201是一个理想的蚀刻/asher完美的多层蚀刻，图案，甚至三维结构。此蚀刻器/asher是高度可定制的,可用于创建各种形状和大小的复杂阵列。LAM RESEARCH RST 201改进的特性和功能,以及用户友好的GUI,使其成为半导体制造业的宝贵工具。
还没有评论