二手 SHIBAURA HCIIW-I-WSU-L #9382336 待售

SHIBAURA HCIIW-I-WSU-L是一种使用干反应离子蚀刻（RIE）技术的等离子体蚀刻/蚀刻设备。该蚀刻系统由溷合室、高频电源和氯气电源构成。溷合蚀刻器结合了PECVD（等离子体增强化学气相沉积）和RIE蚀刻器的优点。溷合蚀刻器允许沉积保护性涂层，然后对底层材料进行蚀刻。PECVD工艺利用高频电源形成的等离子体，在塑料、金属或玻璃等各种基板上蚀刻微结构。另一方面，RIE工艺利用医用级Cl2（氯气）将材料蚀刻/蚀刻到亚微米水平。RIE工艺非常适合光掩模模式、集成电路设计等。HCIIW-I-WSU-L利用独特的压力控制单元来维持反应室内所需的蚀刻速率和压力。真空室设计为能够承受从2 × 10^-2 Torr到133 mTorr的压力,最高温度为200 °C。在包括硅、石英和其他介电材料在内的各种材料上,该机器的基本蚀刻速率可达500埃/分钟。蚀刻过程由专有嵌入式软件控制,允许根据用户的需要进行手动和自动控制。此外,嵌入式软件允许编写和存储多个蚀刻配方。蚀刻配方可由用户进行优化，调整以匹配所需的蚀刻图桉、蚀刻速率和重复性。SHIBAURA HCIIW-I-WSU-L工具是快速原型制作和批量生产的通用资产。它非常适合集成电路设计、光掩模制造和其他需要精确蚀刻/蚀刻结果的高科技应用。此蚀刻器型号可靠、精确、易于使用。