二手 STS / CPX MESC Multiplex #9261945 待售
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ID: 9261945
晶圆大小: 4"-6"
优质的: 2000
AOE / ICP Etcher, 4"-6"
BOSCH Platform
Oxide etch
Semi auto mode
Chamber main body
Loadlock
Remote gas box
Electronics rack
Wafer material: Si, Quartz, glass
Process film: SiO2 (Oxide), Si3N4 (Nitride), SiC (Carbide)
Process gas: CHF3 (Oxide), CHF3+O2 (Nitride), SF6+O2 (Carbide)
Etch rate:
Oxide: 2.5~3 kA/min
Nitride: 1~1.5 kA/min
Carbide: 1~1.5 kA/min
Selectivity (X/PR):
Oxide, <4:1
Nitride, <1.9:1
Carbide, <4:1
Etch uniformity / Profile: <10 % / 75° ~ 88°
Wafer thickness: <300 µm, >1 mm
Etching wafer process chip with bare copper metal
Does not include:
Turbo pump
Dry pump
Chiller
Power supply: 208 V, 60 Hz, 80 A, 3 Phase
2000 vintage.
STS/CPX MESC Multiplex 蚀刻器/asher是一个集成的干湿加工蚀刻器-asher系统,旨在满足当今最先进的半导体制造工艺的需求。利用最新的半导体生产技术，STS MESC Multiplex能够蚀刻和粉刷光滑和有纹理的基板，最多有五个腔室能够独立操作或以半自主模式运行。由于Multiplex先进的多区域、脉冲频率和完全可编程的蚀刻能力，蚀刻器允许高度精确地控制蚀刻深度。高精度蚀刻轮廓允许严格的过程控制,以获得最佳的设备性能。此外,蚀刻机可以在多个腔室温度下蚀刻和灰烬,从而使基板上的点阵图样更有效,从而导致图样化问题,例如基板粗糙的问题。蚀刻机还提供了极好的均匀性，最小的通道和95%以上的角角场均匀性。此外，蚀刻机设计用于快速腔室夹具，允许高达500晶圆每小时的高通量处理。MESC还具有极好的重复性和过程控制，晶片的精确定位无论方向和方向掩蔽在正确的位置。蚀刻机的灰化能力也很强大，通过使用最新的ICP蚀刻技术实现了高可靠性和均匀性。ICP蚀刻为平板和芯片级结构提供了高均匀性的重复结果,而先进的质量传输控制系统确保晶圆在整个过程中得到适当的加热和冷却。蚀刻机是一种用途广泛、可靠的集成蚀刻机，为先进的半导体制造提供了最高水平的质量和精确性能。CPX MESC Multiplex Etcher-asher提供了出色的晶圆均匀性、卓越的工艺控制以及可靠的可重复结果,且停机时间最短,从而实现了高效、经济高效的生产。蚀刻机非常适合当今最苛刻、最复杂的半导体生产工艺。
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