二手 STS / CPX Multiplex DRIE #9185199 待售

ID: 9185199
晶圆大小: 3"-4"
优质的: 2000
Etcher, 3"-4" Upgrade for up to 8" Bosch process Loadlock Single wafer process Manual Load / Unload Typical applications: ICP DRIE Gases: N2, CH4, H2, O2, Ar, SF6, CL2, N2, SiCl4, N2 2000 vintage.
STS Multiplex Deep Reactive Ion Etcher(DRIE)是一类专门为使用等离子体处理对材料进行精确高效蚀刻而设计的蚀刻器。与其他蚀刻技术相比,它具有卓越的蚀刻性能,具有出色的可重复性、极高的选择性和对多种材料的高蚀刻速率。DRIE过程涉及创建高度定向的等离子体流,这些等离子体流进而引导过程气体通过基板并产生沟槽剖面和广泛的蚀刻深度。STS/CPX Multiplex DRIE提供高级功能,如独立控制顶部和底部基板偏置和气流,以及自动调整等离子蚀刻参数。这样可以确保实现最佳蚀刻性能。蚀刻工艺清洁高效,气体消耗最少,因此成本效益高。此外,STS Multiplex DRIE能够以高吞吐量处理大型晶片,非常适合生产环境。多重传递特性允许在蚀刻和钝化循环中同时处理晶片。此外,DRIE有一个全自动的卡带加载系统,使得它非常容易使用。CPX Multiplex DRIE的自动化特性使得自订蚀刻过程以最大限度的优化成为可能。内置的计算机界面提供了许多选项,例如可调节的偏差水平、蚀刻时间、气流、温度和压力。此外,实时控制系统允许快速优化蚀刻参数,以提高性能。总体而言,Multiplex DRIE是一款功能强大的蚀刻工具,结合了精确的蚀刻性能、卓越的重复性和较高的蚀刻速率。它是各种蚀刻过程的宝贵工具,例如创建沟槽、形成高长宽比、创建通道和配置特征。STS/CPX Multiplex DRIE允许对各种材料进行高效、精确和经济高效的蚀刻。
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