二手 STS Multiplex ICP HRM #293811825 待售

ID: 293811825
晶圆大小: 8"
Etcher, 8" Gases: SF6, C4F8, Ar, O2, C2 Process pressure: 5-80 mTORR Masks: SiO2, SixNy Coil: 3000 W 13.56 MHz HF: 500 W, 13.56 MHz LF: 500 W, 380 KHz.
STS Multiplex ICP HRM(感应耦合等离子体高密度无功离子蚀刻器)是一种专门为先进半导体制造工艺而设计的精密蚀刻器/asher工具。这款尖端设备融合了高密度等离子体源和反应性化学,以高选择性、均匀性、高效率的精确蚀刻或清洁半导体材料。Multiplex ICP HRM提供了针对半导体行业不断变化的需求量身定制的多种功能,使研究人员和工程师能够实现精确的材料去除和表面修改,以开发下一代电子设备。STS Multiplex ICP HRM设备的核心在于它的感应耦合等离子体(ICP)源,它为高度定向和受控的蚀刻过程产生了高密度的等离子体环境。这个等离子体源由一个射频(RF)线圈组成,产生磁场诱导过程气体的电离,产生离子密度和能级较高的等离子体。高密度等离子体提高了工艺的蚀刻速率和选择性,产生了优越的工艺控制和优良的特征分辨率。此外,Multiplex ICP HRM还具有高分辨率的掩模对准系统,在蚀刻过程中可以使基板与图样掩模精确对准。这种对准装置确保了精确的模式转移到基板上,便于制造复杂的设备结构和亚微米精度。此外,该工具的先进气体输送机允许精确控制工艺气体和流速,从而能够优化特定材料和应用的蚀刻化学。STS Multiplex ICP HRM的一个关键优点是其高选择性,指的是蚀刻过程在保留底层或结构的同时有选择地去除目标材料的能力。这种高选择性对于复杂半导体器件的制造具有多层和精细的器件体系结构至关重要。该工具的高级端点检测工具通过准确检测蚀刻过程的完成、防止过度蚀刻和确保基板上均匀的蚀刻深度,进一步增强了选择性。除了蚀刻能力外,Multiplex ICP HRM还可以作为半导体加工中清洁和表面改性应用的asher。该工具的反应性离子蚀刻(RIE)模式能够从半导体基板中精确去除表面污染物、光致抗蚀剂残留物和聚合物薄膜,从而确保在后续处理步骤中清洁和原始的表面。该工具的灰度功能对于需要高度清洁和表面质量的设备制造过程特别有价值。总体而言,STS Multiplex ICP HRM是先进的半导体蚀刻和清洁应用程序解决方桉,提供无与伦比的性能、精度和过程控制。该工具具有高密度等离子体源、掩模对准资产、先进的气体输送能力和选择性蚀刻能力,非常适合开发具有纳米级特性和复杂体系结构的尖端半导体器件。半导体行业的研究人员和工程师可以利用Multiplex ICP HRM的能力,推动设备小型化、性能和功能性的界限,带动半导体技术领域的创新。
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