二手 STS Pro ICP #293605254 待售
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ID: 293605254
晶圆大小: 6"
Advanced Oxide Etcher (AOE), 6"
Inductively Coupling Plasma (ICP)
Backside helium cooling
8-Pins clamp
Lip seal
Masks: Si, PR, Metals (Cr, Ti, Ni)
Gases: C4F8, SF6, O2, H2, CF4, (2) Open gas slots
Process pressure: 2-80 mT
Substrate size: 6"
Temperature range:
Platen: -20°C to 120°C
Walls: 100°C
Lid: 120°C
Materials etched:
SiO2
Quartz
Pyrex
Fused silica
Si3N4
Bulk silicon
Capabilities:
2.5 µm on 8-10 µm TEOS
Etch rate: >2000 A/min SiO2, >4:1 selectivity
SiO2: PR
Inter wafer: ±3%
5 µm on 3-10 µm SiO2
Etch rate: >3000 A/min SiO2, >7.5:1 selectivity
SiO2: PR
Inter wafer: ±2%
Power supply:
ADVANCED ENERGY Coil: 3000 W, 13.56 MHz
ENI Platen: 1000 W, 13.56 MHz.
STS Pro ICP是一种非常适合ICP（感应耦合等离子体）应用的高级蚀刻器/asher。它经过专业设计,可提供精确、高效和扩展性的蚀刻功能,具有超快的蚀刻时间和对关键工艺参数的严格控制。Pro ICP具有一个12英寸x 13英寸（约30.48厘米x 33.02厘米）的主动蚀刻台,带有一个改进的狭缝阀蚀刻器,用于控制蚀刻阶段的工艺气体和压力。蚀刻台配备了全底视摄像头监控，以便对过程进行精确控制。这种蚀刻器的另一个特点是桌面的"烘烤"功能，为各种蚀刻工艺提供热过程控制。STS Pro ICP的核心是RF生成器和ICP源装配。该组件还包括负载匹配网络和电动功率可固定电容器，用于对ICP源进行精确和可重复的控制。Pro ICP的製程室由钛製成，提供持久有效的蚀刻环境。一旦晶片被放置在腔内，蚀刻过程可以通过简单地按几个桌面上的按钮来启动。STS Pro ICP还具有带有质量流量控制器的过程气体供应、甲烷/氮气/氙气溷合物和变频驱动器，以精确调节ICP源并与负载匹配。总之，ProICP是一种先进且用途广泛的蚀刻器/asher，非常适合ICP（感应耦合等离子体）应用。其强大的设计、精确的控制和广泛的蚀刻功能使其成为满足一般和精确蚀刻需求的理想选择。
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