二手 STS / SPTS ICP DRIE #9248907 待售

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ID: 9248907
晶圆大小: 4"
Advanced Oxide Etcher (AOE), 4" Module 1: Single slice loadlock Module 2: AOE Chamber and rack Module 3: Pneumatic and vacuum system.
STS/SPTS ICP DRIE(感应耦合等离子体深反应性离子蚀刻)是一种先进的功率蚀刻系统,在半导体工业中被广泛采用。该系统是作为传统蚀刻器的替代品而开发的,因为它以较低的成本提供了更高的准确性、多功能性和多功能性。STS ICP DRIE由多种组件组成,包括ICP源、真空室、晶片卡盘、晶片掩模、计算机控制的射频发生器、高精度XY运动台和先进的气体输送系统。SPTS ICP DRIE的蚀刻过程是通过在一个封闭的腔室内产生等离子体而启动的。等离子体产生的能量用来蚀刻腔内的材料,典型的是硅和其他半导体材料。蚀刻参数的选择(例如基板温度、射频功率和蚀刻速率)由射频发生器处理,射频发生器提供对蚀刻动力学的精确控制。然后,在晶片上沉积一个含硅蚀刻层,以防等离子体环境。最后,利用晶片掩码指导特定区域的局部蚀刻.在操作中,ICP DRIE设备通常位于洁净室环境中。这个过程开始于将晶片加载到蚀刻器的真空室中。然后将晶片放入晶片卡盘并夹紧到位。蚀刻过程由射频功率的应用引发,射频功率在封闭的腔室内产生等离子体,并导致晶圆表面蚀刻。整个过程由电脑不断监控,电脑负责控制驱动过程的一组参数。通过对蚀刻工艺参数的精确控制,可以实现对所需图桉的极其精确的复制。在蚀刻过程结束时,将晶片从腔室中卸载,检查和测量各种参数,例如尺寸、厚度和表面质量。简而言之,STS/SPTS ICP DRIE代表了一种先进的功率蚀刻技术,它提供了比旧式蚀刻系统更高的控制和精度。适用于蚀刻包括硅等半导体材料在内的多种材料,非常适合用于生产集成电路和其他半导体器件。
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