二手 STS / SPTS Multiplex ICP #293666162 待售
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ID: 293666162
晶圆大小: 6"-8"
优质的: 2002
Etcher, 6"-8"
Electrical requirements: 208 V, 60 Hz, 40 A/phase
(1) Chamber
(2) Load stations
Carousel vacuum load lock
Helium Backside Cooling (HBC)
Clamp type: Standard WTC
Gases: C4F8 (200 sccm), SF6 (1000 sccm), O2 (200 sccm), Ar (50 sccm)
EBARA AAL10 Load lock pump
EBARA A30W Chamber pump
LEYBOLD MAG 2000CT Turbo pump
LEYBOLD MAG DRIVE 2000 Turbo pump controller
ADVANCED THERMAL SCIENCES / ATS DEX-20ADI Chiller
ENI ACG-3B RF Generator 13.56MHz, 300W
ADVANCED ENERGY RFG 3001 RF Generator, 3kW
2002 vintage.
ICP(电感耦合等离子体)蚀刻器/灰化器是用于制造微电子器件的专用设备。它使用单晶圆、多重晶圆和多栈基板配置执行溅射蚀刻和等离子体蚀刻过程的组合。ICP蚀刻器经常结合真空系统、蚀刻室、射频发生器和工艺室。在腔室中,单层或多层基板构型被放置在架子上,在架子上方和/或下方引入有方向的蚀刻气体流。可以使用多种不同的蚀刻气体溷合物,对底物达到不同的效果,从物理蚀刻到化学蚀刻和沉积。蚀刻气体在产生等离子体的真空室中被射频发生器电离。根据底物的不同,产生的等离子体可能会或可能不会在蚀刻过程中发挥作用。ICP技术经常与STS(基板转移基板)和/或SPTS(溅射等离子体转移基板)工艺相结合,用于同时蚀刻和/或粉刷多种基板。这种多路复用消除了在每个基板上重复蚀刻过程的需要,从而提高了吞吐量。STS/SPTS和STS技术都涉及一种特殊的杯状转运器,该转运器装有单个基板并转移到蚀刻室中。SPTS技术使用单个基板支架,其中正负电极位于杯子的相对两侧,都暴露于等离子体。然后将该支架移至蚀刻室,并在基板上执行蚀刻过程。STS/SPTS工艺相似,只是杯状转运器在移动到蚀刻室时同时包含多个基板。这样,可以对腔室中的同一组基板应用多个过程。这对于在多个基板上实现均匀蚀刻特别有用,因为不需要为每个单独的基板重新设置或重新启动蚀刻过程。综上所述,用于STS多重基板配置的ICP蚀刻器结合了真空系统、蚀刻室、射频发生器和工艺室,在多个基板上同时进行溅射蚀刻和等离子体蚀刻过程的组合。这提供了一种更快、更高效的蚀刻多种基材的方法,同时在蚀刻过程中保持均匀性。
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