二手 STS / SPTS Multiplex ICP #293828506 待售

STS / SPTS Multiplex ICP
ID: 293828506
Etcher Process: Bosch Type: Clamp type ICP Source power Platen power source (Bias) Gases: Gas / Size SF6 / 260 SCCM C4F8 / 170 SCCM AR / 72.5 SCCM O2 / 100 SCCM Frequency: 13.56 MHz Power supply: 600 W and 3000 W.
STS/SPTS Multiplex ICP是一种用于半导体制造工艺的尖端蚀刻器/asher,用于蚀刻或去除硅片或其他基材表面的特定材料。该设备采用电感耦合等离子体(ICP)技术,高效生产高密度等离子体,实现薄膜的精确和均匀蚀刻,对底层的损害最小。STS Multiplex ICP平台以出色的工艺控制、高吞吐量和灵活性而闻名,使其成为先进半导体制造的首选。ICP蚀刻的概念涉及通过对真空室内的气体溷合物施加高频电场产生由反应性离子和自由基组成的低压等离子体。ICP源典型的是围绕反应堆腔室的螺旋线圈或平面设计,感应出使气体分子电离并产生高密度等离子体的强电磁场。等离子体的能量可以通过调整射频功率、气体流速和腔室压力来控制,允许精确调整蚀刻或灰化过程参数。SPTS Multiplex ICP系统的关键特性之一是它的多路复用能力,使得一个腔室中的多个晶片能够同时处理。这种并行处理配置显着提高了设备的吞吐量和生产率,使其成为大容量半导体生产环境的理想选择。此外,多路复用设计确保了所有晶片的均匀蚀刻,从而实现了一致的设备性能和改进的过程可重复性。Multiplex ICP平台还结合了先进的端点检测系统,以准确监控蚀刻过程,并在达到所需蚀刻深度后自动停止操作。端点检测技术可能包括光发射光谱、激光干涉或质谱,提供蚀刻速率和均匀性的实时反馈。此功能对于实现对蚀刻过程的精确控制和确保设备结构的可重复性至关重要。除蚀刻外,STS/SPTS Multiplex ICP机还可以作为从晶圆表面去除有机残留物或光致抗蚀剂层的洗涤器。ICP技术提供高效分解和挥发有机污染物的高能离子和自由基,为进一步的加工步骤留下干净的底物。该工具的灰化能力对于维护无污染晶片表面和确保半导体器件的可靠性至关重要。STS Multiplex ICP平台提供了广泛的工艺配方和气体化学,以适应各种材料组成和装置结构。用户可以优化蚀刻参数,如气体流量、压力、温度和偏置功率,以实现所需的蚀刻轮廓和选择性。资产的软件界面为编程和监控流程步骤提供了一个用户友好的环境,便于快速设置和高效操作。总体而言,SPTS Multiplex ICP模型代表了半导体制造商在高通量、多路复用配置中寻求高级蚀刻和灰化功能的前沿解决方桉。凭借其优越的工艺控制、端点检测功能和处理多样化基板的灵活性,该平台使高质量半导体器件的生产具有最小缺陷和增强的性能特性。
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