二手 TEGAL 903E #115926 待售
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ID: 115926
晶圆大小: 4"
Plasma etcher, in-line single wafer, 4"
Can handle 3" to 6" wafers, currently configured for 4"
Cassette to cassette
Etches silicon dioxide, silicon nitrides, and polyamid es
Microprocessor control
ENI 1,000 Watt 13.56 MHz RF Generator
20 Process recipe capability
Process gases controlled by Tylan MFC’s
Non-friction spatula pick and place wafer transport.
LEYBOLD D65 oxygen service pump (optional dry pump available)
Two Tegal closed loop temperature controllers
DEC Monitor and keyboard
Non-friction spatula pick and place wafer transport
Wafer count: 834,009
Manuals included
CDA / N2 regulated to 80 +/- 5 psi
N2 regulated to 15 to 30 psi
Process gas's regulated to 15 +/- 5 psig
O2 clean regulated to 10 +/- 5 psi
903e vacuum pump connection: KF-40 flange
903e cabinet exhaust connection: 4", 100 cfm
Leak-back rate: 5.3 mTorr per minute
System: 200 to 240 VAC selectable, 50 / 60 Hz
RF generator: 200 to 240 VAC selectable
Monitor: 115 VAC
Vacuum pump: 200 to 230 VAC, 3-phase
Temperature controllers: 115 VAC
Demonstrable.
TEGAL 903E是用于半导体制造的最先进的蚀刻/asher系统。它旨在取代成本昂贵的ICCP系统，这种系统经常会损坏细腻的晶片，需要使用苛刻的化学物质，以便在其上蚀刻图桉。取而代之的是，TEGAL 903 E使用离子束，利用物理气相沉积（PVD）将精确控制的图样蚀刻到晶圆表面。这一工艺比其他蚀刻技术更高效，导致更好的均匀性、高生产率和最低限度的昂贵化学品浪费。903E具有具有三个线性轴的灵活和高分辨率终端效应器。此端效应器负责阵列，并将离子束聚焦在晶片上，以便蚀刻所需的图桉。该系统还集成了一系列自动设置工具,以及直观的图形用户界面（GUI）,使操作更加轻松。903 E设计用于蚀刻多达八个四英寸方形晶片，每个晶片安装在自己的玻璃支架上，用于精确定位。这样可以确保仅蚀刻晶片的目标区域,并减少在较弱系统中可能出现的无法访问的残留量。使用者也可以自订离子束轮廓，让他们精确地量身定制正在蚀刻的图桉的深度和扩散。TEGAL 903E还利用先进的Argon ICP模式，在无尘环境的支持下实时监测蚀刻进度。该系统具有内置的安全功能,符合SEMATECH OCSMS-95标准和SOP-002环境法规。TEGAL 903 E是一款用途广泛且可靠的蚀刻器/asher。它能够精确控制模式,确保它是复杂的IC制造过程的理想选择,而且它的用户友好界面使所有技能级别的用户都可以访问它。它结合了卓越的技术和成本效益，是先进半导体研究和制造的理想选择。
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