二手 TEGAL 903E #293654462 待售
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ID: 293654462
晶圆大小: 6"
Etcher, 6"
Through the wall
Handles: 3"-6" Silicon
Reactor chamber with upper and lower electrode
Super spatulas
Shuttle wafer transfer
Typical temperature controller
JULABO Chiller: 0-80°C
ENI ACG-10B Solid state
RF Matching network, 13.56 MHz (Fully automated)
ENI ACG-10B RF Generator 13.56 MHz
RF Power: 50-1,000 W
Wafer quartz pin: Up / Down
Calibration and built-in diagnostic function
SEC / GEM Communication function
Multi-level password protection
Distilled water
Capacity: 2.8 gal
Outlet pressure: 40 psig, 45 psig max
Flow connecting hose must withstand coolant at 40 psig at 80°C
Display: Real-time graphic
Storage capacity: 20 Recipes
Gasses:
Gas 1: 15-20 psig +/- 5psig
Gas 2: 15-20 psig +/- 5psig
Gas 3: 15-20 psig +/- 5psig
Gas 4: 15-20 psig +/- 5psig
Clean channel needle valve O2: 20-30 psig +/- 5psig
Cabinet exhaust: 100 CFM (2.832 LPM) min
Typical process:
Material etched: Silicon oxide, polyimide, SOG and PECVD nitride
Gases: CHF3, SF6, Helium
Typical process pressure: 1600-3000 m Torr
Typical RF-power level: 400-600 W
Typical temperature: Upper electrode, 24/30°C, Lower electrode, 19/23°C
Power supply: 200-240 VAC, 50/60 Hz, 30 Amp, 3 Wire, 1 Phase, 2 Pole.
TEGAL 903E是专门设计用于商业半导体制造业的蚀刻器/asher。它是一种高性能、自动化的蚀刻解决方桉,可以处理各种蚀刻过程-从氧化硅层的干蚀刻、SiC的干蚀刻到电路线路的剥离,以及如下所示的其他任务功能。TEGAL 903 E提供全自动蚀刻解决方桉。它提供了广泛的蚀刻食谱和食谱,可以针对特定的应用进行定制。蚀刻过程是在人工干预最少的情况下完成的,旨在使下列特征保持在峰值状态:蚀刻均匀性、通量和减少污染。903E是使用坚固的材料构建的,以使其能够承受恶劣的工业环境,并能同时适应单一和多级过程。它有一个三室/双负载锁设备,确保晶片的处理速度更快,同时优化废水。通过使用交互式图形用户界面来控制蚀刻过程。903 E可以在多种温度范围内运行,并配有加热的低压蚀刻源。TEGAL 903E可以根据规格要求使用各种容器形状。它还包括板载激光保护系统以及自动晶圆端点跟踪器。TEGAL 903 E还包括其他几个不同的功能,如自动调谐、高级蚀刻配方存储和检索功能、自动卡带移动以及本地/远程监控功能。此外,903E还具有若干高级功能,如快速、精确的7nm端点跟踪单元、高速晶圆处理机制、实时机器诊断和监视单元,以及数据记录功能。这些特性使903 E成为市场上最坚固、可靠和高效的asher/etcher解决方桉之一,使其适合用于商业半导体制造领域。
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