二手 TEL / TOKYO ELECTRON Trias #9094190 待售
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ID: 9094190
晶圆大小: 12"
优质的: 2005
CVD System, 12"
(3) TDK TAs3000 FOUP loaders
SPA-N components
Chamber parts:
Manufacturer Model Description
TEL - Slot antenna
TEL - Susceptor heater
TEL - Quartz liner
TEL - Susceptor cover
TEL - Baffle cover
MKS 626B01TBE Capacitance manometer (133Pa)
MKS 626B11TBE Capacitance manometer (133Pa)
MKS 623B-28316 Capacitance manometer (133kPa)
V TEX IRF-07084-2-01 Gate valve
Vacuum system:
Manufacturer Model Description
EDWARDS STP-A1603B Turbo molecular pump
Fuji Imvac HV-40N-R Throttle valve on a high pressure line
VAT 65046-PH52-AHS1 Throttle valve on a low pressure line
SMC XLA-40G-M9 Hi-vac valve on a high pressure line
SMC XLA-63A-M9 Hi-vac valve on a low pressure line
Exhaust system:
Manufacturer Model Description
Tokyo Flow Meter FF-MRA85-1-TYL1 Flow meter for cooling water
FF-MRA80-1-TYL1
Toyokokagaku RS-2000CA / RS-2000F-6417 Water leak sensor
SMC INR-497-100-X048 Chiller
Others:
Manufacturer Model Description
Nihon Koushuha MKN-502-3S2B03-OSC H-Wave power supply unit
Nihon Koushuha AMC-95Q1-CONT5 Auto matching unit
2005 vintage.
TEL/TOKYO ELECTRON Trias是为半导体器件生产和研发而设计的等离子体蚀刻器/ascher。TEL Trias蚀刻器具有多枪热PECVD（等离子体增强化学气相沉积）源，能够在多层材料上进行高速、高度详细的蚀刻。它还拥有一项专利的应用负偏置（ANB）技术，用于控制等离子体密度，使所有基材的蚀刻深度均匀。该蚀刻器易于操作，具有自动化的过程控制和可编程的参数，允许低成本和最大产量的操作。TOKYO ELECTRON TRIAS蚀刻器的底物温度可编程至370C,以便精确蚀刻。该工艺在低压下运行，蚀刻工艺在真空室中使用电流控制的偏置功率完成。Trias蚀刻器能够产生高精度的蚀刻，具有较高的工艺重复性和较小的工艺误差。它还能精确蚀刻包括多晶硅、SiO2、III-V材料在内的材料。TEL/TOKYO ELECTRON TRIAS蚀刻器有防污染措施，包括蓝宝石敏感剂、氟碳净化气体和源温度监测器。该蚀刻器旨在最大限度地减少颗粒污染，并具有先进的低颗粒过滤系统，以提高清洁度。TEL Trias具有高吞吐量、易操作、精密的等离子体控制,是任何半导体器件生产或研发过程的顶级蚀刻器。
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