二手 TEL / TOKYO ELECTRON Trias #9357266 待售
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ID: 9357266
晶圆大小: 12"
优质的: 2006
CVD System, 12"
Process: BL GL Ti Dep
BROOKS AUTOMATİON TLG-LON Load port, (3) FOUPs
SHINKO SELOP12F25-30A-13
SHINKO SBX92101286-3 FI Robot
FUJI M-UPS050J22L-UL UPS
SANEI GIKEN TL7KCPVB-2P Chiller
MPD
Transformer box
Mainframe:
YASKAWA XU-RVM4100 Buffer robot
V TEX I-I-98009-2-1 LLM1.2 Gate valve
KITZ DOUBLE ACTION Chamber gate valve
Process chambers: PM1, PM2, PM3, PM4
Single wafer chamber
With stage heater
RKC INSTRUMENT INC Module heater controller
TEL TMC2001 Module heater controller
Column trap
KYOSAN HFK15Z-TW1 RF Generator
KYOSAN EAKIT RF Matcher
VERIFLO SQ-MICRO-602PUPGPA Regulator
LEYBOLD TSR211S Pirani sensor
INFICON VSA100A Pressure Sensor
MKS 626A01TDE Capacitance manometer
LEYBOLD CDG160A-S 1330PA Capacitance manometer (1333Pa)
LEYBOLD CDG160A-S 133PA Capacitance manometer (133KPa)
STEC VC131004ST20 Vaporizer (TiCL4)
Gases:
Gas / Make / Model / Valve
MFC2 / ClF3 / SAM / SFC1470FA / 500 SCCM
MFC5 / Ar / SAM / SFC1480FA / 5 SLM
MFC6 / H2 / SAM / SFC1481FA / 300 SCCM
MFC7 / NH3 / SAM / SFC1480FAPD / 0.6/2 SLM
MFC8 / N2 / SAM / SFC1480A / 2 SLM
MFM / TiCl4 / STEC / SEF-8240 / 20 SCCM
2006 vintage.
TEL/TOKYO ELECTRON Trias是一种用于半导体材料微加工的蚀刻器/asher。该装置采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺，将材料薄层沉积到基板表面上。设备在真空中工作，利用在等离子体室中燃烧掉的气源，形成一层厚度受控的所需材料的薄膜。蚀刻器/粉碎器还具有很高的选择性，可以对沉积层进行精确蚀刻，从而能够极其精确地制造半导体材料特征。这是通过将各种气体从单独的气体管线排放到腔室中来实现的。TEL Trias 'RF Generator产生一个高频信号，从气体中产生等离子体，然后被定向到基板表面。TOKYO ELECTRON TRIAS还提供蚀刻工艺，利用两步系统。蚀刻气体与提供产生蚀刻产物所需物种的反应性气体一起通过腔室。在此过程中，腔室在降低的大气压（小于100 mtor）下运行，远离腔壁，有助于使等离子体保持在最佳温度。此外，Trias 蚀刻器/asher能够精确控制蚀刻过程，以达到高精度和均匀性。该设备具有多种功能，如程序成功报告和过程监测系统，以确保可重现的蚀刻和沉积特性。这是最重要的，因为它确保每一个设备产生最高的质量水平。再者，射频发生器与3D射频发生器耦合，对晶圆负载、对准和晶圆温度条件下的不均匀沉积提供有效补偿。这确保了均匀的蚀刻和沉积过程，这对于制造高质量的微电子器件是必不可少的。总体而言，TEL/TOKYO ELECTRON TRIAS对于各种蚀刻和沉积应用极为有用。其先进的特点和简单的操作使半导体器件能够在受控环境中精确制造。由于其直观的布局和能力，TEL Trias是当今现代微制造行业必不可少的工具。
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