二手 TEL / TOKYO ELECTRON Unity IIe 85DD #143996 待售
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ID: 143996
Dry etcher, 8"
Process: Dry etch, DDA Plasma etching
Software version: 3.60
Loading configuration: Single cassette / Single wafer
Version: VER 3.40 - REV 206 - TIW - 3.50b
(2) Ceramic electrostatic chuck hardwares
(2) He cooling systems
(2) Cassette load lock protection
(2) ENI RF Generators
(2) ENI Special automation matching networks
NESLAB Dual high temperature chiller
Optical wafer orientation system
(2) Optimized chambers for 8" wafer processing
(2) Mechanical robot arms with (2) blades
(2) SEIKO SEIKI Turbo-molecular pumps
Additional EMO for dry pump
Maintenance controller
(2) Direct pressure monitors
Process configuration:
Position / Description / Gases used
Position 1: Cassette chamber 1: N2
Position 2: Cassette chamber 2: N2
Position 3: Transfer chamber 3: N2
Position 4: Process chamber 1: N2, O2, Ar, CF4, C4F6, C4F8, CHF3
Position 5: Process chamber 2: N2, O2, Ar, CF4, C4F6, C4F8, CHF3
Position 6: PA Chamber: N2
Currently warehoused
AC 208 V, 50/60 Hz, 3-Ph, 225 A
1997 vintage.
TEL/TOKYO ELECTRON UNITY IIe 85DD是一款精密等离子体蚀刻器，为制造商提供先进工艺。它配备了负载锁定的高密度等离子体源，能够快速启动过程和稳定的高通量蚀刻和灰分过程。TEL高级E-pack配方平台将工艺配方与AUTO-TUNE介电蚀刻和Auto-TUNE淋浴头工艺集成在一起，优化了介电蚀刻，提高了晶体管性能。TEL Unity IIe 85DD提供了多种可定制的蚀刻和灰分工艺,包括干蚀刻、干释放、干等离子体蚀刻和过度蚀刻。干蚀刻工艺是一种干燥蚀刻工艺，蚀刻速率高达每分钟0.2 nm，非常适合制造用于DRAM、闪存和其他高端集成电路的高性能晶体管。干释放过程允许晶圆级通过使用等离子体条件释放掩蔽层，使底层降解，同时在顶层进行反推。干等离子体蚀刻工艺产生长宽比低于3的超低角度蚀刻型材，而过度蚀刻工艺则采用高源功率型材实现最佳蚀刻型材。TOKYO ELECTRON UNITY IIE 85 DD利用先进的气体分配设备，对工艺中使用的蚀刻和灰烬气体进行精确控制和监测。淋浴头和负载锁定的高密度等离子体源相结合，在晶片表面上提供高度均匀的离子轰击，从而在较高的沉积速率下形成均匀的蚀刻剖面，提高晶片产量。TOKYO ELECTRON UNITY IIe 85DD还配备了先进的闭合控制环路系统，可连续监控蚀刻和灰烬工艺条件，并向配方控制单元提供反馈以提高工艺精度。此外，UNITY IIE 85 DD为安全操作和易用性而设计。蚀刻器/asher配备了高分辨率的12英寸触摸屏控制面板,以及3D托盘查看功能,可轻松查看蚀刻和灰烬处理结果。Unity IIe 85DD包括一台全面的监控机器,可持续监控过程以确保安全运行,从而改善正常运行时间并最大限度地减少清洁时间。总体而言，TEL/TOKYO ELECTRON UNITY IIE 85 DD是一种可靠、用途广泛的等离子体蚀刻器和灰化器，为制造业提供优化的高通量工艺。其可靠的蚀刻和灰烬工艺、可定制的气体分配工具、先进的闭合控制环路资产和直观的用户界面,使其成为中小型制造应用的理想选择。
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