二手 TEPLA 100E #293818190 待售
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ID: 293818190
Microwave downstream plasma system
Chamber: 150 mm diameter, 120 mm deep
Lit: 150 mm diameter, 100 mm deep
Power in: 240 Volts
Power out: 400W max
Gas inlet: 2 manual regulated
Pump outlet: KF16
Dimensions: 550mmx400mmx470mm.
TEPLA 100E是一种尖端蚀刻/asher设备,为半导体、MEMS和纳米技术行业的各种应用提供先进的处理能力。由领先的等离子体加工设备供应商TEPLA AG开发,100E以优异的性能和可靠性满足高精度蚀刻和灰化工艺的要求。TEPLA 100E的核心是其精密的等离子体蚀刻技术,能够在纳米级进行精确的材料去除和表面改性。该系统配有高密度等离子体源,在整个处理室内产生均匀的等离子体条件,确保一致的蚀刻结果和增强的过程重复性。此特性对于实现尺寸控制严格、变化最小的高质量蚀刻图桉至关重要。100E提供了广泛的加工气体,包括氧气、氟气和氯气等反应性气体,以及氙气和氦气等惰性气体。这种多功能性允许用户量身定制蚀刻化学,以适应他们的设备制造过程的特定要求,使他们能够实现最佳的选择性、蚀刻速率和轮廓控制。TEPLA 100E具有精确的流量控制和压力调节功能,可确保准确且可重现的气体输送,从而实现一致的工艺性能。除了它的蚀刻能力外,100E还可以作为光刻剥离和表面清洁应用的洗涤器。该装置的灰化工艺在去除晶片表面的有机污染物和残留物方面非常有效,从而提高了半导体器件的整体质量和可靠性。利用等离子体化学和热能相结合,TEPLA 100E可以实现各种有机材料的快速彻底粉刷,而不会对底层基板造成损害。100E具有先进的工艺监控功能,能够实时表征和调整蚀刻/灰化工艺参数。该机集成了一个用户友好的界面,使操作员能够监控等离子体功率、气体流速、压力和温度等关键工艺参数,为他们提供对工艺动态和性能的宝贵见解。此外,TEPLA 100E能够存储流程配方和适应多步骤序列,以促进复杂的流程工作流,并确保在多个运行中取得一致的结果。100E的一个关键优点是它的可扩展性和灵活性,允许用户自定义工具配置以满足其特定的处理要求。资产可以配备各种晶圆处理选项,从手动加载到全自动机器人处理,以适应不同的基板尺寸和形状。此外,可以将TEPLA 100E集成到群集工具和生产线中,以实现无缝晶圆运输和在线处理,从而实现高通量制造和过程自动化。总体而言,100E是先进的半导体和MEMS制造中蚀刻和灰化应用的最新解决方桉。TEPLA 100E凭借其先进的等离子体技术、多用途的工艺能力和强大的性能,非常适合需要高精度和可靠的等离子体处理解决方桉的各种研究和生产环境。
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