二手 ULVAC CE-300I #9206958 待售
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ID: 9206958
晶圆大小: 3"
优质的: 2007
ICP Etcher, 3"
Load-lock type: ISM
Load-lock chamber
Sample size: 75 mm
Process reliability / Accuracy:
RF Discharge source: Inductive coupled plasma
RF Frequency: 13.56 MHz
Discharge impedance: Auto control
Purge gas: N2
Temperature control: Water circulator / He gas
Wafer hold type: Electrostatic chuck
Target materials: Mo, TiN, NbN, Si
QUARTZ Wafer tray
UBE RID-2 UV Ozone cleaner
THERMO ELECTRON NESLAB Merlin M75 chiller
Power supply: 208-230 V, Single phase, 10.1 A
UBE INDUSTRIES UBE RID Exhaust gas treatment device
Gases: O2, Chlorine gas, acid gas
ULVAC Abatement pump
Gases: O2, N2
RF Power:
ICP Assembly upper electrode: 1000 W
RF Biased lower electrode: 300 W
Load lock gases: SF6, CF4, C4F8, O2
Process / Gases: Pressurized air, He, N, Ar, O, SF6, CF4, B(OH)3, Cl
Plasma concentration: 1 x 1011 cm³
Etching operation pressure: 0.07 ~ 10 Pa
Etching rate: 200 nm ~ 500 nm/min
Uniformity: ±5% or less
Substrate temperature control: Electrostatic chuck
Manual included
Power supply: 200 V, 3-Phase, 22.0 kVA
2007 vintage.
ULVAC CE-300I是专门为半导体应用而设计的蚀刻器/asher。该设备配备了先进的电容耦合电感加载（CCIL）等离子体源，提供比传统射频系统更高的蚀刻速率。该系统设计易于使用，并提供经济高效的蚀刻工艺。CCIL等离子体源也提供了一个极可重复的蚀刻剖面，与其他等离子体源相比底切非常小。该单元具有350毫米x 350毫米的加工室，允许一次处理更大的基板。该机还具有基板内部顶部冷却功能，有助于降低半导体加工过程中遇到的临界温度。CE-300I还通过位于整个工具上的多个热电偶对腔室和基板进行精确的温度控制。这样可以确保蚀刻过程始终是可重复和可靠的。ULVAC CE-300I具有独特的触摸屏界面,易于使用。此界面允许用户根据需要快速访问资产信息、监视流程参数和调整流程设置。这也允许远程监视模型，允许用户从任何位置密切关注蚀刻过程。该设备还采用配方模式，允许用户保存和重复使用以前使用的流程，以提高效率和一致性。CE-300I具有独特的气体输送系统，最多可配备四个伺服控制散装气体控制器，提供精确的气流控制，以实现最大的过程均匀性。该装置还利用高精度的质量流控制器进行更精确的气体输送。气柜还设有真空卡盘机，允许在过程中均匀控制底压。除了蚀刻工艺外，ULVAC CE-300I还具有可选的电离金属辅助化学蚀刻（IMAGE）模式，用于更精确的小特征蚀刻。IMAGE模式提供了更定向、更受控的蚀刻过程，使用户能够蚀刻小于50 nm的特性。总体而言,CE-300I是一款高级、紧凑的蚀刻器/蚀刻器,具有强大的功能,可提供经济实惠的蚀刻工艺。其独特的CCIL等离子体源和触摸屏界面提供了优于传统射频系统的均匀性和重复性。该工具还具有精确的温度和气流控制功能,以及用于高级蚀刻应用的可选IMAGE模式。
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