二手 BOC EDWARDS Zenith III/V #151206 待售
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ID: 151206
MOCVD AIXTRON scrubber
Electrical supply:
Voltage: 208V
Phases: 3
Frequency: 60Hz
Conductor size required: 6 mm^2
Maximum current consumption:
iH80 pump: 14.6A
QMB500F pump: 8.8A
TPU: 20A
Circuit breaker ratings (system control unit):
CB1: 6A
CB2: 6A
CB3: 10A
CB4: 6A
Fuse ratings (system control unit):
F1: 3.15A
F2:
F3:
F4: 3.15A (5V DC)
F5: 1A (12V DC)
F6: 3.5A (24V DC)
Conductor colors used:
> 100V: black
AC line neutral: white
24V AC: red
24V AC return: white
24V DC positive: violet
24V DC negative: brown
Signal return: pink
Earth (ground): green / yellow
Earth (ground) leakage circuit breaker: 30mA
Fuel gas flow:
Fuel gas:
Type: Methane
Calorific value: 36.9 to 42.3 MJ/min^3, 972 to 1114 BTU/s ft^3
Supply pressure: 1 to 10 psi, 0.07 to 0.7 bar
Flow rate: 37 L/min
Nitrogen:
Supply pressure: 4 to 6 bar gauge, 58 to 87 psig, 5x10^5 Pa to 7 x 10^5 Pa
Flow rate:
Into the TPU: 15 L/min
Into the pumping system: 50 L/min
Compressed dry air:
Supply pressure: 4 to 6 bar gauge, 58 to 87 psig, 5x10^5 Pa to 7 x 10^5 Pa
Flow rate (for each TPU inlet): 30 L/min.
BOC EDWARDS Zenith III/V是一款用途广泛、开放式架构的等离子体蚀刻设备，专为微电子器件制造、MEMS器件、半导体晶片等多种高精度应用而设计。此蚀刻系统具有高度可配置性,可针对多种流程进行定制。该单元具有紧密的外壳,旨在最大限度地提高操作过程中的安全性和效率。设有三个独立控制的工艺室；用于等离子体蚀刻的主腔室、用于灰化操作的可选UVA/N2O腔室和用于溅射沉积的CVD腔室。BOC EDWARDS Zenith III/V由两个主要部件组成：加工室机柜和控制单元。室柜有许多特点和部件，如等离子体蚀刻室、干蚀刻室、远程等离子体源、直流电源、基板支架和气体输送系统。控制单元与进程室机柜接口，并提供广泛的功能，包括流程参数控制、数据记录和分析，以及用户友好的图形界面。BOC EDWARDS Zenith III/V具有低压等离子体蚀刻工艺，为蚀刻提供高度的控制和重现性。该过程在蚀刻室中进行,并由远程源供电。蚀刻过程通过控制单元进行控制,可针对压力、时间、温度和显示等各种参数进行配置。可选的UVA/N2O室设计用于灰化操作，利用紫外线辐射从表面选择性去除有机化合物。该腔室还由自己的远程源供电，确保与蚀刻腔室隔离的过程。CVD室用于溅射沉积，一种在基板上产生金属或其他材料薄膜的技术。腔室配备了几个特点，包括温度控制、压力控制以及调节电离电流的能力。中银EDWARDS Zenith III/V是一款先进、用途广泛的等离子体蚀刻机，适用于多种高精度应用。它提供了高度的过程控制，高质量的结果，并为提高安全性和效率而设计。适用于微电子、MEMS器件制造、半导体晶片等多种薄膜应用。
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