二手 NISSIN Exceed 2000 #9223171 待售
网址复制成功！
单击可缩放
ID: 9223171
晶圆大小: 3"-4"
优质的: 1997
Medium current ion implanter, 3"-4"
PN: E95-3005
Energy range: 10-200 kV
(4) Cassette stages
(2) Loadlocks: Left and right
(2) Orienters: Auto-flat / Notch find
Ion source chamber
Beamline chamber
End station chamber
Pumps:
Dry pumps:
Make / Model / Class
ALCATEL / Drytel 34C / Load / Lock (DP-4), 450 L/sec
ALCATEL / Drytel 31 / Target chamber (DP-3), 450 L/sec
KASHIYAMA / SD 90V III / F.E.M (DP-2), 1500 L/sec
KASHIYAMA / SD 90V III / S.A.M / lon source (DP-1), 1500 L/sec
Turbo pumps:
Make / Model / Class
SHIMADZU / TMP51G / Load / lock (TP 4 and 5), 55 L/sec
SHIMADZU / TMP1002 / F.E.M (TP-3), 800 L/sec
SHIMADZU / TMP1002 / S.A.M (TP-1 and 2), 800 L/sec
Cryo pumps:
Make / Model / Class
CRYOTEC-12L / V208SC612GN / Target chamber (CP-2), 4000 L/sec
CRYOTEC-12L / V208SC612GN / Collimator (CP-1), 4000 L/sec
DAIKIN U110CW Compressor
Process gas:
SiF4 (0.35L): 200 keV, Si+200 µA - 20 µA, SI++ 20 µA - 5 µA, 5E12
Ar (0.35L): 200 keV, 1000 µA, 5E12
High voltage range:
Extraction power supply: 0 keV - 70 keV
Acceleration power supply: 0 keV - 180 keV
Power supplies (Assembly):
Arc
Filament
SAM
ACC
DEC
Focus
TRIM-Q
FEM
Column
DC / AMP
Faraday suppression
ISO TX 160 kV
HV Stack 160 kV
Controllers (Assembly): BSM, FEM, P/C, SAM, W/C, WFC, V/C, I/C, O/F, TQ, T/C, I/G, T/P
Utilities:
Air: 100-150 PSI
N2: 40-150 PSI
Cooling water: 60-150 PSI
Temperature: 4°C - 21°C
Operating system: Windows XP
Power supply: 208 VAC, 3-Phase, 65 kVA
1997 vintage.
NISSIN Exceed 2000是为高性能半导体制造而设计的先进离子植入器和显示器。该设备使用最先进的电子、传感器和控制系统，将离子精确植入一系列材料中，从而产生一致、均匀、可重复的产品质量。该系统提供了广泛的植入参数，可以很容易地调整，以满足具体的设计和工艺要求。该单元的主要功能是进行离子植入。通过使用种类繁多的植入参数，如离子种类、植入深度、植入角度、束能量等多种参数，用户能够定制植入物以匹配所需的应用。该机器还允许存储多个可定制的程序,以节省时间并最小化设置时间。显示器是工具的集成组件,用于监视植入过程中的进程状态和当前参数。此监视器是确保在整个过程中保持正确植入参数的关键组件。该监视器还提供有关剂量和耐受误差的实时反馈,以改进控制。该资产具有很高的可靠性和可重复性,非常适合生产大量和广泛的工艺要求。其强大而自动化的设计确保即使是最具挑战性的应用程序也能得到一致的质量和可重复性。超过2000为用户提供了具有多个可定制参数的可靠且可重复的自动植入模型。它旨在满足半导体制造中最苛刻的要求，是工业生产的理想选择。设备的集成显示器有助于确保植入参数在整个过程中保持一致,从而提高产品质量。
还没有评论